英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET
2023-02-01 17:44:15 英飛凌【2023年01月13日，德國慕尼黑訊】未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案，同時也為服務器、通信、OR-ing、電池保護、電動工具以及充電器應用的系統創新開辟了新的可能性。
該新產品系列采用了英飛凌最新的MOSFET產品技術和領先的封裝技術，將系統性能提升至新的水平。在源極底置（SD）封裝內部，MOSFET晶圓的源極觸點被翻轉、并朝向封裝的足底一側，然后焊接到PCB上。此外，該封裝內部在芯片頂部還有一個改進的漏極銅夾片設計，實現了市場領先的芯片/封裝面積比。
隨著系統尺寸的持續變小，降低功率損耗和改進散熱這兩個關鍵因素變得至關重要。與當前市面上領先的PQFN 3.3 x 3.3 mm2 漏極底置封裝的器件相比，英飛凌新產品系列的導通電阻（RDS(on)）大幅降低了25%。英飛凌雙面散熱、PQFN封裝、OptiMOS?源極底置功率MOSFET可提供一個增強的熱界面，將功率損耗從開關器件傳導至散熱器。雙面散熱的結構能夠以最直接的方式將功率開關連接至散熱器，其功耗能力與底部散熱、源極底置功率MOSFET相比提高了三倍。
該新產品系列提供了兩種不同的引腳排列形式，為PCB布線提供了極大的靈活性。采用傳統標準門極布局的引腳排列形式可實現快速、簡單地修改現有的漏極底置設計；而采用門極居中布局的引腳排列形式為多個器件并聯提供了新的可能性，并且可以最大限度地縮短驅動芯片與門極之間的走線距離。采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封裝的新一代25-150 V OptiMOS?源極底置功率MOSFET具備優異的連續電流能力，最高可達298A，可以實現最高的系統性能。
供貨情況
PQFN 3.3 x 3.3 mm2封裝、25-150 V OptiMOS? 源極底置功率MOSFET有兩種不同的引腳排列形式：標準門極布局和門極居中布局。目前這兩款不同的引腳排列形式，均已有雙面散熱封裝的產品開放訂購。
