東芝推出100V低導通電阻N溝道功率MOSFET
主要特性
1. 低導通電阻(VGS=10V)
RDS(ON) = 5.5mΩ(標準值)
2. 低漏電電流IDSS=10μA(最大值)(VDS=額定電壓)
3. “DPAK+”封裝,通過利用銅連接器實現低導通電阻。
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