Vishay Siliconix 推出業內率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET
2013-01-09 11:18:03 本站原創新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技術，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面積內實現83mΩ的低導通電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 1 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業內首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件，導通電阻分別小于200mΩ和100mΩ。
今天推出的MOSFET適用于升壓轉換器、低功率DC/AC逆變器，以及電信磚式電源、負載點應用和便攜式設備中的LED照明等小型DC/DC轉換器的初級側開關。對于設計者來說，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節省PCB空間，其低導通電阻可實現更低的導通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下導通，簡化了柵極驅動。
在導通電阻比尺寸更重要的應用中，2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大導通電阻為83mΩ和130mΩ，導通電阻與柵極電荷乘積在10V和4.5V下分別為540mΩ-nC和455mΩ-nC，該參數是DC/DC轉換器應用中評價MOSFET的優值系數(FOM)。對于尺寸大小更重要的應用，1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大導通電阻為185mΩ和310 mΩ，在10V、4.5V下的FOM為611mΩ-nC和558mΩ-nC。
SiB456DK和SiA416DJ進行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。
新款MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
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