飛兆半導體推出40V N溝道PowerTrench® MOSFET
2012-12-04 20:09:55 本站原創飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench® MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰。
FDB9403利用飛兆半導體的屏蔽柵極技術，改進了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭對手低20%，并具有較低的Qg值，可降低功耗并最終提高總體效率。 FDB9403 MOSFET作為用于電流控制的基本開關，可有效控制電能而不將其浪費，因此非常適合電動助力轉向、懸架控制和傳動系管理等應用。
特色及優勢：
· RDS(ON)典型值 = 1mΩ(VGS = 10V，ID = 80A時)，可降低功耗以實現 更高的效率
· Qg(tot)典型值= 164nC(VGS = 10V，ID = 80A時)，可降低功耗以實現更高的效率
· UIS能力
· 符合RoHS標準且通過AEC Q101認證
封裝和定價信息(1000片起訂，價格單位：美元)
按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內
· 采用D2PAK TO-263AB封裝，FDB9403的定價為2.48美元
飛兆半導體在功率半導體器件和模塊封裝方面的專業知識，與廣泛的測試、仿真和優質生產相結合，使其能提供在要求最嚴苛的汽車環境中表現可靠的產品。 憑借全球范圍內的設計、制造、裝配和測試設施，設施齊全的飛兆半導體能滿足汽車制造商對于質量、可靠性和供貨的需求。
