TriQuint推出一系列可級聯(lián)達靈頓對放大器
2012-05-02 20:39:15 本站原創(chuàng)這些新的InGaP/GaAs(磷化鎵銦/砷化鎵)HBT射頻集成電路增益模塊包括提供15dB超平增益的TQP369180與TQP369181和提供20 dB增益的TQP369182與TQP369184。這些15 dB增益和20 dB增益模塊有兩種經濟型的塑料封裝形式可供選擇。該系列產品的最新成員TQP369185增益可達至20.5 dB 和 提供19.7 dBm 的P1dB,同時集成一個內部有源偏置。所有產品電阻均內部匹配至50歐姆,只需要一個外置射頻扼流圈、一個降壓電阻和阻隔/旁路電容進行操作。另外它們還非常堅固耐用,滿足Class 1C HBM(最高2 kV)的靜電放電(ESD)要求。
增益模塊是在所有類型的射頻和微波系統(tǒng)中廣泛使用的一些有源元件,它們必須結合卓越的性能與非常優(yōu)異的成本效益。TriQuint的這五款新器件以兩種封裝形式和一系列增益級選擇來滿足這些要求,進而滿足幾乎任何設計需求,同時將功耗降到最低。其寬廣的工作頻率范圍使它們非常適用于幾乎任何透過6GHz的應用。
技術細節(jié):所有五款新增益模塊均為支持直流至6GHz工作頻率范圍的InGaP/GaAs HBT達靈頓可級聯(lián)射頻集成電路。它們提供Class 1C HBM 靜電放電保護以及50歐姆內部匹配。
TQP369180
15.7dB 增益;+15.2dBm P1dB;+30dBm OIP3;45mA 電流消耗;SOT-89 封裝。
TQP369181
15.6dB 增益;+15.2dBm P1dB;+30dBm OIP3;45mA 電流消耗;SOT-363 封裝。
TQP369182
22.3dB 增益;+16.1dBm P1dB,+29.5dBm OIP3;45mA 電流消耗;SOT-89 封裝。
TQP369184
22dB 增益;+16.1dBm P1dB,+29.8dBm OIP3;45mA 電流消耗;SOT-363 封裝。
TQP369185
20.4dB 增益;+19.8dBm P1dB,+32.3dBm OIP3;75mA 電流消耗;SOT-89 封裝。
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導體創(chuàng)芯網 快訊
相關文章