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Vishay發布2011年“Super 12”特色產品

2011-05-19 20:47:10 本站原創
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,Vishay發布2011年的“Super 12”特色產品。這些元器件具有業界領先的規格標準,如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示,是許多關鍵應用的上佳之選,也充分反映出Vishay產品線之豐富。

2011年的Super 12產品如下:

• 146 CTI SMD極化鋁電容器——對于汽車應用,通過AEC-Q200認證的146 CTI電容器兼具+125℃的高溫性能、低至0.035Ω的ESR,及在+125℃下長達6000小時的使用壽命。器件具有從10mmx10mm至18mmx21mm共8種外形尺寸。

• SiR662DP 60 V N溝道功率MOSFET——在采用PowerPAK® SO-8型封裝的60V器件當中,SiR662DP具有業內最低的導通電阻和導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)。器件在4.5V下的導通電阻為3.5mΩ,比最接近的器件低27%,在4.5V下的FOM為105mΩ-nC,比最接近的器件低57%。

• IHLP®-6767GZ-51功率電感器——IHLP-6767GZ-51是目前市場上具有最高的溫度范圍(高達+155℃)和最高電流等級的表面貼裝功率電感器。器件的頻率范圍高達750kHz,典型DCR低至0.89mΩ,感值低至0.47μH。

• 45V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器——除P600軸向、功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO263AB封裝外,Vishay的45V TMBS整流器還具有典型高度只有1.1mm的非常薄的封裝。器件在15A和+125℃條件下具有0.39V的正向電壓,最高工作結溫可達+150℃。

• ACAS AT薄膜芯片電阻陣列——Vishay的ACAS AT電阻陣列通過了AEC-Q200認證,在單片封裝內具有精度相互匹配的電阻,可用于分壓器和反饋電路。器件每個電阻的功率等級(P70)高達125mW,潮濕敏感度低于0.5%(85℃;85%RH;56天),TCR跟蹤低至10ppm/K (±5 ppm/K)。

• VCNL4000全集成型接近/環境光傳感器——VCNL4000是業內首款將紅外發射器、光敏PIN二極管、環境光探測器、信號處理IC和16位ADC裝進3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm的小尺寸無引線(LLP)表面貼裝封裝內的環境光傳感器。這款器件具有占用空間小的特點,并且具有易用的I2C總線通信接口,在各種各樣的消費和工業應用中能夠大大簡化設計。

• NTC Mini Lug傳感器——Vishay的Mini Lug NTC傳感器只需要業內最小的65mm2 / 0.1in2安裝空間,響應時間小于4秒,能夠快速和準確地測量-40℃~+125℃范圍內的溫度。

• DG9454三端SPDT(2:1復用器)——DG9454為3D快門式眼鏡進行了優化,在2.7V~12V的V+和2.5V~+5.5V的VL工作電壓范圍內可確保兼容1.8V的邏輯電平,小于1µA的功耗能夠大大延長電池壽命。

• TP3TANTAMOUNT®模壓外殼SMD電容器——汽車級的TP3具有牢固的結構和低ESR,適用于引擎控制和安全系統。電容器經過了100%的浪涌電流測試,提供業界標準的A~E外形尺寸,以及擴大了容值和電壓范圍的新的W外形尺寸。

• 600V FRED Pt超快恢復二極管——對于DCM、CRM和CCM PFC應用,Vishay的600V超快恢復二極管能夠提供豐富多樣的功率封裝和高達+175℃的工作結溫,可實現更穩固和更具性價比的設計方案。器件具有極低的泄漏電流、正向電壓等級,以及Qrr和Trr。新的“U”系列采用了特殊設計,具有超快的軟恢復時間。

• WSLP、WSLT、WSLS和WSH Power Metal Strip®電阻——Vishay的Power Metal Strip電阻為檢流和脈沖應用提供了增強的功率處理能力和環境性能。WSLT電阻可在+275℃溫度下工作。采用1206和2818外形尺寸的WSLP和WSH電阻分別具有高達1W和5W的功率。WSLS具有更好的穩定性,可達0.25%和0.5%。

• SiZ730DT非對稱雙芯片功率MOSFET——SiZ730DT將高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸6mmx3.7mm的PowerPAIR封裝內,這種封裝比兩片分立的PowerPAK 1212-8封裝小1/3,比兩片分立的SO-8封裝小2/3,從而節省空間并提高性能。此外,器件的非對稱設計使導通電阻比使用PowerPAK 1212-8封裝的低邊MOSFET低30%。

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