飛兆推出60V PowerTrench MOSFET器件
2011-05-19 20:46:17 本站原創為了滿足這一需求， 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出N溝道PowerTrench® MOSFET器件FDMS86500L，該器件經專門設計以最大限度地減小傳導損耗和開關節點振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率。
FDMS86500L是采用行業標準5mm x 6mm Power 56封裝的器件，它結合了先進的封裝技術和硅技術，顯著降低了導通阻抗RDS(ON) (2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A)，實現更低的傳導損耗。
此外，FDMS86500L使用屏蔽柵極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結合該器件的低傳導損耗，可為設計人員提供其所需的更高的功率密度。
FDMS86500L MOSFET器件具有更好的品質因數(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規的要求。
FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增強型體二極管技術以實現軟恢復；MSL1穩固封裝設計；經過100% UIL測試，并符合RoHS標準。
FDMS86500L是飛兆半導體新型60V MOSFET產品系列中的首款器件，這些新型 60V MOSFET器件的推出，進一步強化公司中等電壓MOSFET產品系列。飛兆半導體擁有業界最廣泛的 MOSFET產品系列，向設計人員提供多種技術選擇，以便為應用挑選合適的MOSFET器件。飛兆半導體充分認識到空間受限的應用場合對電流更高、占位面積更小的DC-DC電源的需求，并且了解客戶及其所服務的市場，因而能夠提供具有獨特功能、工藝和封裝創新組合的量身定做解決方案，實現電子設計差異化。
價格(訂購1,000個):
FDMS86500L 的單價為0.90美元
供貨: 現提供樣品
交貨期 ：收到訂單后8至10周
