飛兆高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器
2010-11-17 21:04:27 本站原創為了滿足全球各地的能效標準要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動等工業應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開關速度的性能更高的柵極驅動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器產品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅動，相比常用的FOD3120柵極驅動器，新器件的傳輸遲延時間縮短了50%，功耗降低了13%。
FOD3184由鋁砷化鎵(AIGaAs)發光二極管和集成在電路功率級中帶有PMOS和 NMOS輸出功率晶體管的CMOS檢測器以光學方式耦合構成，PMOS上拉晶體管具有低 RDS(ON)，能夠降低內部功耗和提供接近軌對軌輸出電壓擺幅能力。該器件具有高抗噪能力，最低共模噪聲抑制比(CMR)為35kV/µs，適合嘈雜的工業應用。
FOD3184還具有15V至30V寬VCC工作電壓范圍 、3A最大峰值輸出電流，并確保-40ºC至+100ºC的工作溫度范圍。還具有專為驅動IGBT而優化的帶有遲滯作用的欠壓鎖定(UVLO)保護功能。
FOD3184采用8腳雙列直插封裝，提供>8.0mm的爬電距離(creepage)和電氣間隙，可配合安全機構至關重要的終端應用要求。此外，封裝符合無鉛焊接標準對260ºC回流焊工藝的要求，FOD3184具有1,414V的額定工作電壓(VIORM)，能夠驅動1,200V負載，并保持長期可靠的隔離性能。
FOD3184是飛兆半導體提供同級最佳抗噪能力、更快開關速度和更高功效的全面廣泛的高性能光耦合器產品系列的成員。飛兆半導體將開發更多同類型解決方案，以推動工程師的設計創新。
價格(訂購1,000個): FOD3184的單價為1.51美元
供貨: 現提供樣品
交貨期 ：6周
EETOP 官方微信
創芯大講堂 在線教育
半導體創芯網 快訊
相關文章
