東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
2025-05-21 08:30:12 EETOP東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術,并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比,其體積減小90%以上,并提高了設備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件,從而降低開關損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝,支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少了封裝內部源極線電感的影響,實現高速開關性能;以TW054V65C為例,與東芝現有產品相比[5],其開通損耗降低了約55%,關斷損耗降低約25%[4],有助于降低設備中的功率損耗。
未來東芝將繼續擴大其SiC功率器件產品線,為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。
測量條件:VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH,Rg(外部柵極電阻)=4.7Ω
續流二極管采用各產品源極和漏極之間的二極管。(截至2025年5月,東芝對比結果)
圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導通損耗(Eon)和關斷損耗(Eoff)比較
? 應用:
- 服務器、數據中心、通信設備等的開關電源
- 電動汽車充電站
- 光伏逆變器
- 不間斷電源
? 特性:
- DFN8×8表面貼裝封裝,實現設備小型化和自動化組裝,低開關損耗
- 東芝第3代SiC MOSFET
- 通過優化漂移電阻和溝道電阻比,實現漏源導通電阻的良好溫度依賴性
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷
- 低二極管正向電壓:VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)
? 主要規格:
(除非另有說明,Ta=25°C)
器件型號 | TW031V65C | TW054V65C | TW092V65C | TW123V65C | |||
封裝 | 名稱 | DFN8×8 | |||||
尺寸(mm) | 典型值 | 8.0×8.0×0.85 | |||||
絕對最大額定值 | 漏極-源極電壓VDSS(V) | 650 | |||||
柵極-源極電壓VGSS(V) | –10至25 | ||||||
漏極電流(DC)ID(A) | Tc=25°C | 53 | 36 | 27 | 18 | ||
電氣特性 | 漏極-源極導通電阻RDS(ON)(mΩ) | VGS=18V | 典型值 | 31 | 54 | 92 | 123 |
柵極閾值電壓Vth(V) | VDS=10V | 3.0至5.0 | |||||
總柵極電荷Qg(nC) | VGS=18V | 典型值 | 65 | 41 | 28 | 21 | |
柵極-漏極電荷Qgd(nC) | VGS=18V | 典型值 | 10 | 6.2 | 3.9 | 2.3 | |
輸入電容Ciss(pF) | VDS=400V | 典型值 | 2288 | 1362 | 873 | 600 | |
二極管正向電壓VDSF(V) | VGS=–5V | 典型值 | –1.35 | ||||
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