東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
2025-05-21 08:30:12 EETOP東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設(shè)備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進行開爾文連接。這減少了封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實現(xiàn)高速開關(guān)性能；以TW054V65C為例，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比[5]，其開通損耗降低了約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設(shè)備中的功率損耗。
未來東芝將繼續(xù)擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻。
測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω
續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對比結(jié)果）
圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導(dǎo)通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較
? 應(yīng)用：
- 服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等的開關(guān)電源
- 電動汽車充電站
- 光伏逆變器
- 不間斷電源
? 特性：
- DFN8×8表面貼裝封裝，實現(xiàn)設(shè)備小型化和自動化組裝，低開關(guān)損耗
- 東芝第3代SiC MOSFET
- 通過優(yōu)化漂移電阻和溝道電阻比，實現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性
- 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
- 低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
? 主要規(guī)格：
（除非另有說明，Ta＝25°C）
器件型號 | TW031V65C | TW054V65C | TW092V65C | TW123V65C | |||
封裝 | 名稱 | DFN8×8 | |||||
尺寸（mm） | 典型值 | 8.0×8.0×0.85 | |||||
絕對最大額定值 | 漏極-源極電壓VDSS（V） | 650 | |||||
柵極-源極電壓VGSS（V） | –10至25 | ||||||
漏極電流（DC）ID（A） | Tc＝25°C | 53 | 36 | 27 | 18 | ||
電氣特性 | 漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)（mΩ） | VGS＝18V | 典型值 | 31 | 54 | 92 | 123 |
柵極閾值電壓Vth（V） | VDS＝10V | 3.0至5.0 | |||||
總柵極電荷Qg（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 65 | 41 | 28 | 21 | |
柵極-漏極電荷Qgd（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 10 | 6.2 | 3.9 | 2.3 | |
輸入電容Ciss（pF） | VDS＝400V | 典型值 | 2288 | 1362 | 873 | 600 | |
二極管正向電壓VDSF（V） | VGS＝–5V | 典型值 | –1.35 | ||||
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