天價成本逼退臺積電，這一技術落后對手4年！
2025-04-30 11:33:36 EETOP據(jù)國外科技媒體wccftech報道，臺積電再短期內(nèi)不會加入高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光刻（EUV）的行列。據(jù)透露，該公司將跳過用于A14工藝的光刻技術。
在采用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術方面，臺積電如今已落后于英特爾代工等企業(yè)，將繼續(xù)依賴較舊的EUV光刻機。
臺積電會仔細評估諸如新晶體管結構和新工具等技術創(chuàng)新，并在將其應用于大規(guī)模生產(chǎn)之前，考慮這些技術的成熟度、成本以及對客戶的益處。臺積電計劃首先引入高數(shù)值孔徑極紫外光刻設備用于研發(fā)，以開發(fā)客戶推動創(chuàng)新所需的相關基礎設施和圖案化解決方案。
在半導體中采用更新的元素時，臺積電多年來一直是先驅，并且經(jīng)常引領潮流。但如今，該公司似乎將跳過在其A14工藝中使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具，因為它將依賴更為傳統(tǒng)的0.33數(shù)值孔徑極紫外光刻技術。這一消息是在數(shù)值孔徑技術研討會上披露的，臺積電高級副總裁張曉強（Kevin Zhang）在會上宣布了這一進展（消息來源：Bits & Chips）。由此可以肯定地說，英特爾代工和幾家DRAM制造商如今在技術上領先于臺積電。
張曉強表示，臺積電不會使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術來為A14芯片進行圖案化處理，A14芯片的制造計劃于2028年開始。從2納米工藝到A14工藝，我們無需使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術，但我們在工藝步驟方面仍可保持類似的復雜程度。每一代技術，我們都試圖盡量減少掩膜數(shù)量的增加。這對于提供具有成本效益的解決方案來說非常重要。
臺積電認為高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術對A14工藝不重要的主要原因在于，使用相關的光刻工具，臺積電可能會發(fā)現(xiàn)成本相比傳統(tǒng)極紫外光刻方法最高會上漲2.5倍，這最終將使A14工藝節(jié)點的生產(chǎn)成本大幅提高，這意味著其在消費產(chǎn)品中的應用會變得困難。但這當然不意味著該公司在未來的工藝中不會采用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術，因為它計劃在A14P工藝節(jié)點上使用這項技術。
高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術導致成本上升的另一個原因是，臺積電的A14芯片在單層芯片設計中需要多個掩膜，而使用最新的光刻工具僅僅意味著這家臺灣巨頭在沒有太多益處的情況下推高了成本。相反，通過專注于0.33數(shù)值孔徑極紫外光刻技術，臺積電可以使用多重圖案化技術來維持相同水平的設計復雜度，而無需高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術的極高精度，最終使生產(chǎn)成本保持在較低水平。
有趣的是，臺積電不采用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術的決定確實使其在采用最新工具方面落后于英特爾代工等企業(yè)，因為據(jù)說英特爾將在18A工藝中使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術，預計該工藝最早明年就會推出。由于臺積電的目標是在2029年實現(xiàn)A14P工藝，相比競爭對手，臺積電在采用高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術應用方面至少會有四年的延遲，這一決定可能會讓競爭對手占據(jù)一些優(yōu)勢。
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