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據(jù)中國臺灣科技媒體technews報道，全球存儲器市場已進(jìn)入劇烈變動期！業(yè)界消息指出，三星電子已正式通知客戶，將于2025年4月終止1z制程8Gb LPDDR4內(nèi)存生產(chǎn)（EOL，End of Life），并要求客戶在6月前完成最后買進(jìn)訂單（Last Buy Order，LBO），預(yù)計(jì)最遲于10月前完成出貨。

業(yè)者分析，主要是因?yàn)橐驗(yàn)橹袊箨懙投耸謾C(jī)采用的LPDDR4，已被大陸長鑫存儲拿走訂單，三星未來將會更聚焦LPDDR5以上的高階產(chǎn)品。

此舉也宣告DRAM產(chǎn)品結(jié)構(gòu)再度洗牌，并反映韓系原廠正加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高階產(chǎn)品，如高帶寬存儲器（HBM）與DDR5。

臺系存儲器廠如華邦電、南亞科因主力產(chǎn)品放在DDR4，法人預(yù)期，有望受惠于三星停產(chǎn)DDR4的動作。

業(yè)界人士指出，早在數(shù)月前，已傳出三星有意停產(chǎn)部分DDR4產(chǎn)品，主要原因包括：一、為集中資源于獲利能力更高的HBM與DDR5產(chǎn)品線; 二、長鑫存儲持續(xù)擴(kuò)張DDR4產(chǎn)能，并采取低價搶市策略，導(dǎo)致市場競爭加劇與利潤壓縮。

此外，全球市場亦受到地緣政治因素干擾，美國總統(tǒng)特朗普于4月9日啟動對等關(guān)稅機(jī)制，擬對臺灣地區(qū)出口至美國的存儲器模組與SSD等產(chǎn)品課征32%關(guān)稅。

雖然晶圓與裸晶型態(tài)HBM、DDR與NAND不在此波課稅清單中，但終端模組產(chǎn)品需求恐將受到壓抑，進(jìn)一步拖累全球消費(fèi)性存儲器市場表現(xiàn)。

根據(jù)研究機(jī)構(gòu)最新預(yù)測，在中立情境下，2025年全球內(nèi)存位需求年增率，將自原先預(yù)估的12.8%下修至4.8%;而熊市情境更下探至3.5%。

NAND市場方面，盡管目前現(xiàn)貨價格已逼近制造成本，好在原廠啟動10%~20%的產(chǎn)能調(diào)節(jié)計(jì)劃，仍能維持獲利與價格穩(wěn)定。

另一方面，中國大陸廠商長鑫存儲與長江存儲積極進(jìn)軍高階存儲器市場。外媒指出，長鑫存儲正以2026年量產(chǎn)HBM3為目標(biāo)，并預(yù)計(jì)2027年導(dǎo)入HBM3E，未來或?qū)?shí)現(xiàn)中國HBM自給自足的目標(biāo)。

目前全球DRAM與NAND資本支出維持保守，整體供應(yīng)鏈將面對來自中國大陸廠商的激烈競爭與美國對等關(guān)稅政策風(fēng)險升溫。

整體而言，業(yè)者認(rèn)為，存儲器市場短期價格將由備貨與供給收縮支撐，但中長期仍需關(guān)注中國大陸擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度、美國關(guān)稅政策走向及原廠資本支出策略。