英特爾近日宣布，其18A制程節點（1.8納米）已經準備就緒，并計劃在今年上半年開始設計定案。該制程將導入多項先進半導體技術，有望領先臺積電即將推出的2nm N2制程，后者預計將于2026年上市。市場有人聲稱，英特爾的18A制程將會是世上首個小于2納米的制程，這也讓臺積電制程技術落后英特爾一年。
18A制程相較于intel 3制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務器CPU，這兩款產品預計將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術。該技術通過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供電效率。英特爾表示，這項技術可提升ISO功耗效能4%，并增加標準單元利用率5%至10%。另一項關鍵技術是 RibbonFET，這是英特爾的全柵極晶體管（GAA）設計。與傳統鰭式場效晶體管（FinFET）相比，RibbonFET可更精細地控制電流流動，并有效降低功耗與漏電，這對于高密度、小型化的芯片來說尤為重要。臺積電也計劃在其2nm N2制程采用GAA設計，但相關量產預計要到2025年底才開始，首批采用N2的消費級產品預計最早在2026年中推出。此外，臺積電計劃在A16制程（2026年推出）中導入背面供電技術，與英特爾18A的技術路線相似、但時程較晚。過去幾年，英特爾在制程技術上落后于臺積電和三星，但18A制程有望讓英特爾在特定領域超越競爭對手，并搶先進入市場。如果18A能夠成功量產，不僅將提升英特爾的晶圓代工業務競爭力，還可能改變目前半導體市場的競爭格局。但一說到英特爾，外界大多會想到近年來該公司面臨重大財務壓力，英特爾在2024年的財務報告中顯示虧損了130億美元，而臺積電則有高達410億美元的營業利潤。由于英特爾連年虧損，市場上關于該公司可能進行業務拆分或出售部分代工業務的猜測不斷增加。此外，美國政府近年來加強對當地芯片供應鏈的關注度，也有觀點認為臺積電可能在穩定英特爾的晶圓代工業務中發揮一定作用。隨著美國政府推動半導體本土化，intel 18A制程的成敗，將成為美國半導體產業競爭力的重要指標。
