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東芝推出高速導(dǎo)通小型光繼電器,可縮短半導(dǎo)體測試設(shè)備的測試時間

2025-02-20 11:04:05 未知
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”,具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

 

1.jpg 

 

新型光繼電器通過提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器(光電二極管陣列)的設(shè)計,可實現(xiàn)高效的光耦合,將導(dǎo)通時間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導(dǎo)通時間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %,TLP3431S的導(dǎo)通時間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。

 

此外,當輸出打開時,這兩款產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻會影響信號衰減(TLP3414S:最大值3 Ω,TLP3431S:最大值1.2 Ω);當輸出關(guān)閉時,輸出電容會影響高頻信號泄漏(兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF)。新產(chǎn)品與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]相當,確保了穩(wěn)定的信號傳輸。

 

新產(chǎn)品適用于半導(dǎo)體測試設(shè)備中的引腳電子[3]應(yīng)用,可在開關(guān)信號的同時以高精度高速測量待測設(shè)備(DUT)。

 

新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %,有助于實現(xiàn)半導(dǎo)體測試設(shè)備和其他設(shè)備的小型化。

 

東芝將繼續(xù)提供更多高性能產(chǎn)品,以滿足半導(dǎo)體測試設(shè)備對更高性能和更快速度的需求。

 

? 應(yīng)用:

半導(dǎo)體測試設(shè)備(高速存儲器測試設(shè)備、高速邏輯測試設(shè)備等)

- 探測卡

測量設(shè)備

 

? 特性:

- 高速導(dǎo)通時間:tON=150 μs(最大值)

- 低導(dǎo)通電阻:

TLP3414S RON=3 Ω(最大值)

TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)

- 小型S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)

 

? 主要規(guī)格:

(除非另有說明,Ta=25 °C)

器件型號

TLP3414S

TLP3431S

封裝

東芝封裝名稱

S-VSON4T

尺寸(mm)

1.45í2.0(典型值),

厚度=1.3(典型值)

觸點類型

1-Form-A

(常開)

絕對最大額定值

斷態(tài)輸出端電壓VOFF(V)

40

20

通態(tài)電流ION(mA)

250

450

通態(tài)電流(脈沖)IONP(mA)

750

1350

工作溫度Topr(°C)

–40至110

隔離電壓BVS(Vrms)

AC,60 s,

R.H.≤60 %

500

耦合電氣特性

觸發(fā)LED電流IFT(mA)

最大值

3

導(dǎo)通電阻RON(Ω)

典型值

2

0.8

最大值

3

1.2

電氣特性

輸出電容COFF(pF)

典型值

6.5

開關(guān)特性

導(dǎo)通時間tON(μs)

最大值

150[5]

關(guān)斷時間tOFF(μs)

100[5]

庫存查詢與購買

在線購買

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注:

[1] S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值)

[2] 東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414(額定值40 V/250 mA)和TLP3431(額定值20 V/450 mA),采用VSON4封裝

[3] 引腳電子(PE):用于向待測設(shè)備(DUT)提供電源測試信號,并判斷DUT的輸出信號的一種接口電路

[4] VSON4封裝:1.45 mm×2.45 mm(典型值)

[5] TLP3414S的測試條件:RL=200 Ω、VDD=20 V、IF=5 mA,TLP3431S:RL=200 Ω、VDD=10 V、IF=5 mA


關(guān)鍵詞: 東芝 半導(dǎo)體 芯片

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