三星芯片部門訪問英偉達！
2025-02-18 09:13:56 EETOP2月18日消息，據TheElec報道，三星芯片部門的負責人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問，此行帶有重要使命。消息人士透露，此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發的1b DRAM芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM），特別是HBM3E。
據悉，英偉達曾在去年對三星的1b DRAM設計提出了改進要求。而此次三星所展示的樣品，正是基于英偉達的具體要求經過改進后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門的負責人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見，這足以顯示三星對此次合作的高度重視。
圖源：pixabay
三星在去年曾計劃使用1b DRAM生產HBM，但過程中遭遇了良品率和過熱問題。這款DRAM屬于第五代10納米產品，原本被寄予厚望用于HBM3E。由于面臨技術難題，三星曾考慮改用1a DRAM（1b DRAM的前代產品）來生產HBM3E 8H和12H，并計劃跳過1b DRAM，直接使用1c DRAM生產HBM4。然而，英偉達堅持要求使用1b DRAM，這使得三星不得不重新調整其生產計劃。
此次訪問中，三星副董事長兼DS部門負責人Young Hyun Jun親自出馬，很可能是為了確保三星能夠贏得英偉達的HBM3E訂單。Young Hyun Jun不僅擔任DS部門的負責人，還兼任該部門下的內存業務負責人，作為DRAM領域的專家，他被認為主導了1b DRAM的設計改進工作。
目前，三星的競爭對手SK海力士已經向英偉達供應采用1b DRAM生產的HBM3E 12H，而美光也預計將在近期開始生產面向英偉達的人工智能加速器所需的HBM。面對激烈的競爭環境，三星無疑希望通過此次訪問和展示，進一步鞏固其與英偉達的合作關系。
上個月，三星曾表示其“改進版”HBM3E的準備工作進展順利，并計劃于今年第二季度正式量產并供貨。而在1月份的CES展會上，英偉達首席執行官黃仁勛也曾公開表示，三星需要重新設計其HBM，以通過英偉達的資格認證。此次三星芯片部門負責人的訪問，無疑是對黃仁勛這一要求的積極回應和實際行動。
