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2月18日消息，據(jù)TheElec報道，三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國英偉達(dá)總部進(jìn)行訪問，此行帶有重要使命。消息人士透露，此次訪問的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的1b DRAM芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM），特別是HBM3E。

據(jù)悉，英偉達(dá)曾在去年對三星的1b DRAM設(shè)計提出了改進(jìn)要求。而此次三星所展示的樣品，正是基于英偉達(dá)的具體要求經(jīng)過改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見，這足以顯示三星對此次合作的高度重視。

圖源：pixabay

三星在去年曾計劃使用1b DRAM生產(chǎn)HBM，但過程中遭遇了良品率和過熱問題。這款DRAM屬于第五代10納米產(chǎn)品，原本被寄予厚望用于HBM3E。由于面臨技術(shù)難題，三星曾考慮改用1a DRAM（1b DRAM的前代產(chǎn)品）來生產(chǎn)HBM3E 8H和12H，并計劃跳過1b DRAM，直接使用1c DRAM生產(chǎn)HBM4。然而，英偉達(dá)堅持要求使用1b DRAM，這使得三星不得不重新調(diào)整其生產(chǎn)計劃。

此次訪問中，三星副董事長兼DS部門負(fù)責(zé)人Young Hyun Jun親自出馬，很可能是為了確保三星能夠贏得英偉達(dá)的HBM3E訂單。Young Hyun Jun不僅擔(dān)任DS部門的負(fù)責(zé)人，還兼任該部門下的內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人，作為DRAM領(lǐng)域的專家，他被認(rèn)為主導(dǎo)了1b DRAM的設(shè)計改進(jìn)工作。

目前，三星的競爭對手SK海力士已經(jīng)向英偉達(dá)供應(yīng)采用1b DRAM生產(chǎn)的HBM3E 12H，而美光也預(yù)計將在近期開始生產(chǎn)面向英偉達(dá)的人工智能加速器所需的HBM。面對激烈的競爭環(huán)境，三星無疑希望通過此次訪問和展示，進(jìn)一步鞏固其與英偉達(dá)的合作關(guān)系。

上個月，三星曾表示其“改進(jìn)版”HBM3E的準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，并計劃于今年第二季度正式量產(chǎn)并供貨。而在1月份的CES展會上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛也曾公開表示，三星需要重新設(shè)計其HBM，以通過英偉達(dá)的資格認(rèn)證。此次三星芯片部門負(fù)責(zé)人的訪問，無疑是對黃仁勛這一要求的積極回應(yīng)和實際行動。