瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET
2025-02-05 10:36:52 EETOP全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能。基于這一創新產品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心及不間斷電源（UPS）等多個領域。
瑞薩開發的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）大幅降低30%；更低的導通電阻有助于顯著降低客戶系統設計中的功率損耗。
REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性（向柵極施加電壓所需的電荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平臺”階段需要注入柵極的電荷量）減少40%。
除了優秀的電氣特性外，瑞薩的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業標準TOLL和TOLG封裝，與其它制造商的器件引腳兼容，且封裝尺寸比傳統TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks，便于光學檢測。
Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年來，瑞薩在MOSFET領域積累了豐富的經驗和技術優勢，憑借我們強大的制造能力和多個高產能工廠的供貨保障，瑞薩致力于為客戶提供卓越的產品和服務。”
