瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET
2025-02-05 10:36:52 EETOP全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開關(guān)性能。基于這一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)自行車、充電站、電動(dòng)工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。
瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極與源極之間的電阻）大幅降低30%；更低的導(dǎo)通電阻有助于顯著降低客戶系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的功率損耗。
REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性（向柵極施加電壓所需的電荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平臺(tái)”階段需要注入柵極的電荷量）減少40%。
除了優(yōu)秀的電氣特性外，瑞薩的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TOLL和TOLG封裝，與其它制造商的器件引腳兼容，且封裝尺寸比傳統(tǒng)TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks，便于光學(xué)檢測(cè)。
Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年來(lái)，瑞薩在MOSFET領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，憑借我們強(qiáng)大的制造能力和多個(gè)高產(chǎn)能工廠的供貨保障，瑞薩致力于為客戶提供卓越的產(chǎn)品和服務(wù)。”
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