閃存突破300層！
2024-11-21 12:21:30 EETOPSK海力士表示，從2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層堆疊NAND Flash閃存，并供應(yīng)于市場之后，現(xiàn)在又率先推出了超過300層堆棧的NAND Flash 存儲(chǔ)器，突破了技術(shù)界限。SK海力士計(jì)劃從2025年上半年起，開始向客戶提供321層堆棧的產(chǎn)品，以此因應(yīng)市場的需求。
SK 海力士強(qiáng)調(diào)，在此次產(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高生產(chǎn)效率的 3-Plug 制程技術(shù)，克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進(jìn)行通孔工藝，隨后經(jīng)過優(yōu)化的后續(xù)工程，將3個(gè)通孔進(jìn)行電氣連接。在其過程中開發(fā)出了低變形的材料，并引進(jìn)了通孔間自動(dòng)排列（alignment）矯正技術(shù)。
另外，技術(shù)團(tuán)隊(duì)也將上一代238層堆疊NAND Flash閃存的開發(fā)平臺(tái)，應(yīng)用于321層堆疊的產(chǎn)品上，由此最大限度地減少了制程的變化。與上一代產(chǎn)品相比，其生產(chǎn)效率提升了59%。還有，此次321層堆疊的產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了12%、13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高10%以上。SK海力士接下來將以321層堆疊NAND Flash 閃存，積極因應(yīng)針對AI低功耗、高性能的新市場，并逐漸擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。
SK海力士NAND Flash閃存開發(fā)副社長崔正達(dá)表示，公司率先投入300層堆疊以上的NAND Flash閃存量產(chǎn)，在攻占用于AI數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤、邊緣AI等針對AI的存儲(chǔ)器市場方面占有有利地位。未來，公司將不僅在HBM為代表的DRAM，在NAND Flash 閃存領(lǐng)域也具備超高性能存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合，將躍升為全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商。
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