韓國媒體報道，科技大廠三星電子正逐步縮減其一度雄心勃勃的晶圓代工業務，轉而將資源集中在市場急需的AI內存芯片發展上。根據韓國中央日報的報道，對于三星電子這樣的舉動，坦白說，它別無選擇。事實上，在事前的第三季財報電話會議上，三星就暗示，未來將與其他芯片制造商合作生產高帶寬存儲器芯片（ HBM）芯片。另外，也承認其動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片的良率令人失望。三星電子執行副總裁金在俊（Kim Jae-june）于電話會議中表示，我們正在為多個客戶準備定制化的HBM。因為滿足 HBM 客戶的需求非常重要，因此無論是內部，還是外部，我們將靈活選擇晶圓代工合作伙伴來制造基礎芯片。而會有這樣的規劃，是三星在半導體代工上的良率一直令人擔憂。然而，晶圓代工業務的競爭力很大程度上取決于良率，即每片晶圓可生產出多少晶粒，這直接關系到制造成本和速度。因此，三星才會決定尋求晶圓代工合作伙伴的合作。過去，三星曾強調其在AI芯片領域的「一站式」 服務，提供內存芯片、晶圓代工和先進封裝等完整服務。但現在為了贏得市場最大HBM客戶-英偉達的訂單，正在放棄這一核心策略。韓國新英證券半導體分析師樸相旭就表示，三星未來將與臺積電可能合作，而這將是一項史無前例的作法，這代表三星的晶圓代工業務因無法改善良率問題，使得技術不受HBM主要客戶青睞。而一但確定將晶圓代工業務外包給臺積電之后，在自己同時也有一個晶圓代工部門的情況下，這將造成三星嚴重信心打擊。但目前它別無選擇，只能聽取客戶的需求。報道指出，盡管三星表示，目前正在向多個客戶供應HBM3E芯片，但尚未確定獲得AI芯片龍頭英偉達的認證通過，以提供目前囊括AI處理器市場至少80%占比的英偉達訂單需求。反觀，英偉達已經與SK海力士建立了密切的合作伙伴關系，目前SK海力士幾乎獨占英偉達HBM產品的供應。加上，臺積電被英偉達供應鏈深度依賴，藉以生產其AI芯片，并與SK海力士的HBM進行封裝的情況下，三星不論在哪一方面都處于劣勢。尤其，SK海力士2024年也宣布與臺積電進一步合作，共同開發第六代HBM，也就是HBM4的基礎DRAM晶粒，計劃于2025年下半年交付客戶，這使得三星受大的威脅。報道引用一位市場人士的說法表示，三星與臺積電合作，將可能是加入英偉達生態系統的唯一途徑。然而，一但真的與臺積電合作，則過去三星電子社長李在镕曾提出雄心勃勃的目標，也就是在2030年前趕超臺積電，成為全球半導體制造龍頭的目標將成為泡影。而實際上，截至2024年第二季，三星在晶圓代工方面的營收市場占比為11.5%，遠遠落后于臺積電的62.3%，這情況也離成為全球半導體制造龍頭的目標越來越遠。
報道強調，晶圓代工業務狀況不好也被指為三星第三季業績不佳的主要原因之一。該部門估計將虧損1.5萬億韓元（約10.9億美元），加上負責芯片設計的LSI部門，整個拖累了整個半導體業務獲利。而且，盡管三星承諾美國政府在美國德州泰勒市斥資230億美元，建設先進芯片制造設施。但由于良率不佳，三星未能吸引主要客戶，使三星已經將運營時間從最初計劃的2024年，延遲到2026年。而對于晶圓代工業務在第三季繳出這樣的成績單，三星宣布2024年將縮減晶圓代工的資本支出，以提高投資效率。另外，也將積極發展將于明年開始量產的2納米制程技術，期望借此進一步帶動業績反彈。
