單價(jià)近30億元！三星明年初將引進(jìn)首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)
2024-10-31 09:08:16 未知當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日，韓媒ETNews報(bào)道稱，三星電子已作出決定，將在2025年初引進(jìn)其首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)（該設(shè)備單臺(tái)售價(jià)約為3.2至4.3億美元，折合人民幣接近30億元），標(biāo)志著三星正式加入與英特爾、臺(tái)積電在下代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)。
此前，三星電子已與比利時(shí)微電子研究中心imec展開(kāi)合作，在imec與ASML共同建立的High NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室中，對(duì)High NA光刻技術(shù)進(jìn)行了初步探索。此次引進(jìn)自有High NA機(jī)臺(tái)，無(wú)疑將加速三星在光刻技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)步伐。
▲ ASML首代High NA EUV光刻機(jī)EXE:5000
鑒于精密的High NA EUV光刻機(jī)需要一定的時(shí)間進(jìn)行安裝和調(diào)試，預(yù)計(jì)該機(jī)臺(tái)最早將于明年中旬投入研發(fā)使用。根據(jù)三星目前的半導(dǎo)體先進(jìn)制程路線圖，其已規(guī)劃至SF1.4節(jié)點(diǎn)（注：預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)），而采用High-NA光刻的制程則至少需等到SF1階段。
在先進(jìn)制程代工領(lǐng)域，三星面臨的兩大主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中，英特爾已完成第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)的安裝，而臺(tái)積電的首個(gè)機(jī)臺(tái)也預(yù)計(jì)將在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)交付。此外，在存儲(chǔ)領(lǐng)域，SK海力士則計(jì)劃于2026年引入其首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)。
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