1a制程DRAM設計出現問題,三星HBM市場表現嚴重失望!
2024-10-17 11:36:51 EETOP韓國媒體報道,科技大廠三星陷入營運瓶頸,旗下包括半導體、家電、移動通信(MX)、顯示器(SDC)在內的所有業務部門都在經歷困難。其中,目前全球市占率排名第一的內存業務,即使在2024年第三季的景氣上升周期當中也未能展現亮眼成績,導致整個公司的營運狀況不佳。
根據韓國媒體ZDNet Korea的報道,三星的存儲器業務在高帶寬存儲器(HBM)的部分,市場對其表現嚴重失望。原因是三星一直沒有積極在這領域的發展,直到 2024 年第三季開始,才針對 GPU 大廠英偉達進行 HBM3E 的認證,期望打入供應鏈當中。不過,當前8層堆棧的產品尚未通過認證,12層堆疊的產品則極有可能延后到2025年第二或第三季之后才有機會供應。
至于,三星HBM沒有積極發展有其復雜原因。其中,專家指出,三星HBM的問題根本上來說是核心芯片DRAM的問題。由于HBM結構是將多個DRAM垂直堆棧并連接在一起,因此DRAM的性能不可避免的會與HBM的性能直接相關。因此,從這個角度來看,三星供應HBM使用的DRAM,也就是1a制程技術的第四代DRAM產品技術上出了問題。
報道解釋了10納米等級制程的DRAM產品,分為第一代的1x制程、第二代的1y制程、第三代的1z制程、第四代的1a制程、以及當前主流的第五代1b制程。 其中,第四代的1a制程DRAM其線寬約為14納米,三星是在2021年下半年開始量產該款DRAM。 只是,盡管三星量產第四代的1a制程DRAM的時間早于競爭對手,而且其中采用了EUV光刻技術以提高產能,并提升競爭力。 但是這樣的做法卻未讓三星在生產1a制程DRAM的競爭力上提升,反而是因為使用EUV光刻技術的難度較高,讓三星的1a制程DRAM生產成本遲遲無法下降。
報道指出,由于三星的1a制程DRAM設計本身并不完美。尤其是應用在服務器上的產品開發受挫,這使得整體應用的時機較競爭對手落后。所以,相較于三星,SK 海力士在 2023 年一月就讓旗下的 1a 制程 DRAM 的 DDR5 服務器產品率先獲得英特爾認證。也因為1a制程DRAM的性能障礙情況,使得三星的HBM3E遲遲無法通過英偉達的認證而大量供應。
報道強調,基于以上的情況,不久前三星在韓國平澤產線中對提供英偉達認證的8層堆疊HBM3E產品進行了全面的清查。相較于英偉達認證的測試,三星的 8 層堆疊 HBM3E 產品沒有出現任何問題,三星的自行檢視則是查出其數據處理速度低于其他產品的情況。報告指出,三星的8層堆疊HBM3E產品在數據處理速度方面,較SK海力士和美光的產品下降約10%左右。
而對于這樣的測試檢測結果,三星正在考慮采取新的做法,那就是將部分充新設計1a制程DRAM,以期在未來恢復服務器DRAM和HBM產品的根本競爭力。對此,一位市場人士表示,正在考慮其存儲器策略的三星,正在準備重新設計其1a制程DRAM的方式。不過,至今尚未做出最終決定。然而,一旦做出這樣大膽的決定,三星可能必須承受各種壓力所帶來的影響。因此,后續值得持續觀察。