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近30億元一臺！英特爾成功組裝第二臺High NA EUV光刻機！遙遙領(lǐng)先臺積電

2024-10-10 12:14:36 未知

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在SPIE大會上，ASML新任首席執(zhí)行官Christophe Fouquet發(fā)表了演講，重點推介了High NA EUV光刻機，該設(shè)備單臺售價約為3.2至4.3億美元，折合人民幣接近30億元。期間，Christophe Fouquet透露，英特爾的第二臺High NA EUV光刻機已經(jīng)順利完成組裝。相比之下，臺積電的首臺High NA EUV光刻機預(yù)計最快也要到年底才能完成交貨，這表明英特爾在最先進光刻機的應(yīng)用上已經(jīng)取得了遙遙領(lǐng)先的優(yōu)勢。

Christophe Fouquet指出，與當前的標準EUV光刻機相比，High NA EUV光刻機不太可能出現(xiàn)交貨延遲的情況。原因在于ASML創(chuàng)新了掃描儀子組件的組裝方式，即直接在客戶工廠進行安裝，省去了拆卸和再組裝的步驟。這一變革將顯著縮短ASML與客戶之間的時間和成本，有助于加速High NA EUV光刻機的發(fā)貨與交付。

隨后，英特爾院士兼光刻技術(shù)總監(jiān)Mark Phillips上臺發(fā)言。他表示，英特爾已在波特蘭工廠成功安裝了兩套High NA EUV光刻系統(tǒng)。Mark Phillips還公布了一些數(shù)據(jù)，顯示High NA EUV光刻機所帶來的性能提升可能超出了此前的預(yù)期。

Mark Phillips強調(diào)，由于積累了首次安裝的經(jīng)驗，第二套High NA EUV光刻系統(tǒng)的安裝速度更快。目前，High NA EUV光刻設(shè)備所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已就緒并投入運行，相關(guān)的光罩檢測工作也正按計劃進行。因此，英特爾無需過多輔助支持即可將其投入生產(chǎn)。

此外，Mark Phillips還就化學(xué)放大抗蝕劑（CAR）與金屬氧化物抗蝕劑的問題發(fā)表了看法。他表示，目前CAR仍能滿足需求，但未來某個時刻可能需要采用金屬氧化物光阻劑。英特爾的目標是，在2026至2027年間實現(xiàn)Intel 14A制程技術(shù)的量產(chǎn)，并在此基礎(chǔ)上進一步提升制程技術(shù)。

關(guān)鍵詞：英特爾 EUV 光刻機