用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器
2024-05-23 09:02:05 EETOPLittelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器的工作電壓范圍（VDD - VSS）高達35V，具有出色的靈活性和性能。
IX4352NE的突出功能之一是配備內部負電荷泵調節器，無需外部輔助電源設備或DC/DC轉換器。 該功能對于關斷SiC MOSFET尤其實用，可以節省外部邏輯電平轉換器電路通常所需的寶貴空間。 邏輯輸入與標準TTL或CMOS邏輯電平兼容，進一步增強了節省空間的能力。
IX4352NE非常適合在各類工業應用中驅動SiC MOSFET，例如：
· 車載和非車載充電器，
· 功率因數校正（PFC），
· DC/DC轉換器，
· 電機控制器，和
· 工業電源逆變器。
卓越的性能使其成為電動汽車、工業、替代能源、智能家居和樓宇自動化市場中要求苛刻的電力電子應用的理想選擇。
憑借其全面的功能，IX4352NE簡化了電路設計并提供了更高的集成度。 內置保護功能，如帶軟關斷灌電流驅動器的去飽和檢測（DESAT）、欠壓鎖定（UVLO）和熱關斷（TSD）等，可確保功率器件和柵極驅動器得到保護。 集成的開漏FAULT輸出向微控制器發出故障信號，增強了安全性和可靠性。 此外，IX4352NE還能節省寶貴的PCB空間并提高電路密度，有助于提高整體系統效率。
對現有IX4351NE的顯著改進包括：
· 由DESAT啟動的安全軟關斷。
· 高閾值精度熱關斷。
· 電荷泵在熱關斷期間的工作能力。
新款IX4352NE與引腳兼容，可無縫替換指定使用現有Littelfuse IX4351NE的設計，該設計于2020年發布。
“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅動器擴展了我們廣泛的低側柵極驅動器系列，簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅動電路。”Littelfuse集成電路部（SBU）產品經理June Zhang表示， “其各種內置保護功能和集成電荷泵提供了可調的負柵極驅動電壓，能提高dV/dt抗擾度和關斷速度。 因此，該產品可以用來驅動任何SiC MOSFET或功率IGBT，無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件。”
供貨情況
IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器以每管50只的管裝形式供貨，也可以卷帶封裝形式供貨，起訂量2,000只。 可通過Littelfuse全球各地的授權經銷商索取樣品。 如需了解Littelfuse授權經銷商名單，請訪問 Littelfuse.com。
