DRAM 之父去世
2024-05-07 11:37:05 EETOP
丹納德于 1932 年 9 月 5 日出生于德克薩斯州特雷爾。他在一個(gè)沒有電的農(nóng)場(chǎng)長(zhǎng)大，在一個(gè)只有一間教室的校舍里上學(xué)。他作為圓號(hào)演奏家的天賦為他贏得了南衛(wèi)理公會(huì)大學(xué)（SMU）的獎(jiǎng)學(xué)金，在那里他學(xué)習(xí)了新興的電氣工程領(lǐng)域。
從SMU畢業(yè)后，丹納德繼續(xù)深造，在卡內(nèi)基理工學(xué)院（現(xiàn)稱為卡內(nèi)基梅隆大學(xué)）攻讀電氣工程博士學(xué)位。他于 1958 年獲得博士學(xué)位，并開始擔(dān)任 IBM 研究員。他將在那里度過他漫長(zhǎng)而傳奇的職業(yè)生涯。
當(dāng)時(shí)的集成電路是一個(gè)新興的并且令人興奮的技術(shù)，剛剛由德州儀器的工程師杰克·基爾比發(fā)明。該研究領(lǐng)域和工業(yè)界的主要關(guān)注點(diǎn)是推進(jìn)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器和邏輯，促使丹納德深入研究金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。
由于對(duì)當(dāng)時(shí)現(xiàn)有的磁芯RAM的尺寸和功率要求感到沮喪，丹納德和微電子專家團(tuán)隊(duì)于1964年開發(fā)了一種替代系統(tǒng)，該系統(tǒng)只需要六個(gè)MOS晶體管即可存儲(chǔ)一位信息。他們覺得，即使是這樣的設(shè)計(jì)也太復(fù)雜和緩慢了。
隨后，丹納德的腦海中靈光乍現(xiàn)，這將徹底改變計(jì)算技術(shù)。他開始研究如何在一個(gè)晶體管而不是六個(gè)晶體管中存儲(chǔ)信息。這種洞察力、調(diào)查和實(shí)驗(yàn)最終導(dǎo)致了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 的發(fā)明。
丹納德并沒有止步于DRAM。1972 年，丹納德提出了一個(gè)理論，該理論幫助計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備每年變得更小、更快、更高效。這個(gè)理論被稱為丹納德縮放比例，或丹納德定律，源于摩爾定律。
爾定律指出，能夠安裝在給定空間中的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环８鶕?jù) 丹納德定律，每瓦的性能以大致相同的速度增加。因此，隨著晶體管尺寸的縮小，它們需要的功率也更少。
在他半個(gè)世紀(jì)的職業(yè)生涯中，丹納德獲得了許多獎(jiǎng)項(xiàng)和認(rèn)可。他于 1979 年被宣布為 IBM 研究員，并于 1988 年獲得羅納德·里根總統(tǒng)頒發(fā)的美國(guó)國(guó)家技術(shù)獎(jiǎng)?wù)隆?997 年，丹納德入選美國(guó)國(guó)家發(fā)明家名人堂，并于 2009 年被授予 IEEE 榮譽(yù)勛章。
這位發(fā)明家最近被授予半導(dǎo)體行業(yè)的最高榮譽(yù)。2019 年，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)授予 Dennard Robert N. Noyce 獎(jiǎng)。
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