DRAM 之父去世
2024-05-07 11:37:05 EETOP
丹納德于 1932 年 9 月 5 日出生于德克薩斯州特雷爾。他在一個沒有電的農場長大，在一個只有一間教室的校舍里上學。他作為圓號演奏家的天賦為他贏得了南衛理公會大學（SMU）的獎學金，在那里他學習了新興的電氣工程領域。
從SMU畢業后，丹納德繼續深造，在卡內基理工學院（現稱為卡內基梅隆大學）攻讀電氣工程博士學位。他于 1958 年獲得博士學位，并開始擔任 IBM 研究員。他將在那里度過他漫長而傳奇的職業生涯。
當時的集成電路是一個新興的并且令人興奮的技術，剛剛由德州儀器的工程師杰克·基爾比發明。該研究領域和工業界的主要關注點是推進計算機存儲器和邏輯，促使丹納德深入研究金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 的設計和應用。
由于對當時現有的磁芯RAM的尺寸和功率要求感到沮喪，丹納德和微電子專家團隊于1964年開發了一種替代系統，該系統只需要六個MOS晶體管即可存儲一位信息。他們覺得，即使是這樣的設計也太復雜和緩慢了。
隨后，丹納德的腦海中靈光乍現，這將徹底改變計算技術。他開始研究如何在一個晶體管而不是六個晶體管中存儲信息。這種洞察力、調查和實驗最終導致了動態隨機存取存儲器 (DRAM) 的發明。
丹納德并沒有止步于DRAM。1972 年，丹納德提出了一個理論，該理論幫助計算機和其他電子設備每年變得更小、更快、更高效。這個理論被稱為丹納德縮放比例，或丹納德定律，源于摩爾定律。
爾定律指出，能夠安裝在給定空間中的晶體管數量大約每兩年翻一番。根據 丹納德定律，每瓦的性能以大致相同的速度增加。因此，隨著晶體管尺寸的縮小，它們需要的功率也更少。
在他半個世紀的職業生涯中，丹納德獲得了許多獎項和認可。他于 1979 年被宣布為 IBM 研究員，并于 1988 年獲得羅納德·里根總統頒發的美國國家技術獎章。1997 年，丹納德入選美國國家發明家名人堂，并于 2009 年被授予 IEEE 榮譽勛章。
這位發明家最近被授予半導體行業的最高榮譽。2019 年，半導體行業協會授予 Dennard Robert N. Noyce 獎。
關鍵詞： DRAM之父
