ASML推出首款2nm Low-NA EUV光刻機(jī)
2024-03-14 12:01:02 EETOP狂熱的讀者傾向于關(guān)注使用前沿工藝技術(shù)制造的微電子產(chǎn)品，就英特爾而言，這意味著未來(lái)幾年將使用高數(shù)值孔徑極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)。去年年底，ASML開(kāi)始向英特爾交付其下一代EUV光刻機(jī)——首款高數(shù)值孔徑極紫外（EUV）Twinscan EXE：5000 High-NA EUV光刻系統(tǒng)，最近已經(jīng)安裝在了英特爾俄勒岡工廠。英特爾還發(fā)布了一個(gè)炫耀視頻：
但是，英特爾的High-NA EUV目前僅用于研究和開(kāi)發(fā)目的。不可否認(rèn)，我們將在未來(lái)幾年內(nèi)使用的絕大多數(shù)芯片都將還是使用Low-NA EUV光刻工具制造，而不是High-NA EUV。
這就是為什么ASML的最新公告特別引人注目的原因。ASML本周交付了其第一臺(tái)更新的Low-NA EUV Twinscan NXE：3800E光刻機(jī)，用于晶圓廠安裝。NXE：3800E是該公司0.33數(shù)值孔徑（Low-NA）光刻掃描儀系列的最新版本，旨在制造2nm和3nm級(jí)技術(shù)的芯片。
ASML 尚未公布該機(jī)器功能的完整細(xì)節(jié)，但該公司之前的路線圖表明，更新后的 3800E 將提供更高的晶圓吞吐量和更高的晶圓對(duì)準(zhǔn)精度 - ASML 稱(chēng)之為“匹配機(jī)器覆蓋”。根據(jù)該路線圖，ASML 預(yù)計(jì)使用其第五代低數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀每小時(shí)可加工 200 片晶圓，這將標(biāo)志著該技術(shù)的一個(gè)重要里程碑，因?yàn)?/span>EUV光刻技術(shù)的缺點(diǎn)之一是其吞吐率低于當(dāng)今經(jīng)過(guò)充分研究和調(diào)整的深紫外（DUV）機(jī)器。
對(duì)于 ASML 的邏輯和內(nèi)存晶圓廠客戶（目前名單上總共只有大約六家公司）來(lái)說(shuō)，更新的光刻機(jī)將幫助這些代工廠繼續(xù)改進(jìn)和擴(kuò)大其尖端芯片的生產(chǎn)。即使主要晶圓廠正在通過(guò)額外設(shè)施擴(kuò)大運(yùn)營(yíng)規(guī)模，提高現(xiàn)有設(shè)施的吞吐量仍然是滿足產(chǎn)能需求以及降低生產(chǎn)成本（或至少控制生產(chǎn)成本）的重要因素。
盡管 EUV 光刻機(jī)并不便宜——一臺(tái)典型的光刻機(jī)成本約為 1.8 億美元，而 Twinscan NXE:3800E 的成本可能更高——但完全攤銷(xiāo)這些機(jī)器還需要一段時(shí)間。與此同時(shí)，交付更快的一代 EUV 光刻機(jī)將對(duì) ASML 產(chǎn)生重大的財(cái)務(wù)影響，ASML已經(jīng)享有作為這種關(guān)鍵工具的唯一供應(yīng)商的地位。
繼 3800E 之后，ASML至少還有一代低數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)Twinscan NXE：4000F正在開(kāi)發(fā)中。預(yù)計(jì)將于 2026 年左右發(fā)布。
關(guān)鍵詞： Low-NA EUV光刻機(jī) ASML
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