瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術擴展電源產品陣容
2024-01-16 08:24:03 EETOP全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議，根據該協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%，較過去十二個月的成交量加權平均價格溢價約56%，較過去六個月的成交量加權平均價格溢價約78%。此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導體的下一代關鍵材料）的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。
作為碳中和的基石，對高效電力系統的需求正在不斷增加。為了應對這一趨勢，相關產業正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶（WBG）材料過渡。這些先進材料比傳統硅基器件具備更廣泛的電壓和開關頻率范圍。在此勢頭下，瑞薩已宣布建立一條內部SiC生產線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應協議。
瑞薩現目標是利用Transphorm在GaN方面的專業知識進一步擴展其WBG產品陣容。GaN是一種新興材料，可實現更高的開關頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優勢使客戶的系統具有更高效、更小、更輕的結構以及更低的總體成本。也因此，根據行業研究，GaN的需求預計每年將增長50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業和消費應用的解決方案。
瑞薩首席執行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由來自加州大學圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、經驗豐富的團隊所領導的公司。Transphorm GaN技術的加入增強了我們在IGBT和SiC領域的發展勢頭。它將推動和擴大我們的關鍵增長支柱之一的功率產品陣容，使我們的客戶能夠選擇最佳的電源解決方案。”
Transphorm聯合創始人、總裁兼首席執行官Primit Parikh博士以及Transphorm聯合創始人兼首席技術官Umesh Mishra博士表示：“結合瑞薩全球布局、廣泛的解決方案和客戶關系，我們很高興能為WBG材料的行業廣泛采用鋪平道路，為其顯著增長奠定基礎。這項交易還將使我們能夠為客戶提供進一步擴展服務，并為我們的股東帶來可觀的即時現金價值。此外，它將為我們杰出的團隊提供一個強大的平臺，以進一步發展Transphorm卓越的GaN技術和產品。”
交易明細
Transphorm董事會已一致批準最終協議，并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準合并。在簽署最終協議的同時，持有Transphorm約38.6%已發行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協議以支持本次交易。
該交易預計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準、監管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。
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（備注）本新聞稿中提及的所有產品或服務名稱均為其各自所有者的商標或注冊商標。
關鍵詞： 瑞薩 Transphorm GaN
