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一張晶圓只做一顆芯片!中國科學(xué)家發(fā)表論文——大芯片:挑戰(zhàn)、模型和架構(gòu)

2024-01-05 12:10:34 EETOP
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隨著新一代芯片增加晶體管密度變得越來越困難,芯片制造商正在尋找其他方法來提高處理器的性能,其中包括架構(gòu)創(chuàng)新、更大的芯片尺寸、小芯片設(shè)計(jì),甚至晶圓級(jí)芯片設(shè)計(jì)等。后者迄今為止僅由Cerebras 實(shí)現(xiàn)。在2019年Cerebras第一次推出其晶圓級(jí)芯片時(shí)受到了很多質(zhì)疑,但是目前Cerebras的晶圓級(jí)芯片已經(jīng)有了良好的商業(yè)應(yīng)用。現(xiàn)在,中國的研究機(jī)構(gòu)以及開發(fā)商也開始關(guān)注晶圓級(jí)芯片。中國科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所的科學(xué)家們推出了先進(jìn)的256 核多芯片,并計(jì)劃將該設(shè)計(jì)擴(kuò)展到 1,600 核芯片,將整個(gè)晶圓作為一個(gè)計(jì)算設(shè)備。

中國科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所的研究人員剛剛在《Fundamental Research》雜志上發(fā)表了一篇論文討論了光刻和小芯片的局限性,并提出了一種他們稱之為“大芯片”的架構(gòu),該架構(gòu)模仿了不幸的晶圓級(jí)Trilogy Systems 在 20 世紀(jì) 80 年代的努力以及Cerebras Systems 在 2019年推出成功的晶圓級(jí)架構(gòu)

(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2667325823003709)

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我們知道埃隆·馬斯克(Elon Musk) 的特斯拉正在打造自己的“Dojo”超級(jí)計(jì)算機(jī)芯片,但這不是晶圓級(jí)設(shè)計(jì),而是將Dojo D1 核心復(fù)雜地封裝成某種東西,如果你瞇著眼睛看,它看起來就像是由 360 個(gè)小芯片構(gòu)建的晶圓級(jí)插槽。也許通過 Dojo2 芯片,特斯拉將轉(zhuǎn)向真正的晶圓級(jí)設(shè)計(jì)。看起來并不需要做很多工作就能完成這樣的壯舉。

中國科學(xué)院的這篇論文討論了很多關(guān)于為什么需要開發(fā)晶圓級(jí)器件的問題,但沒有提供太多關(guān)于他們開發(fā)的大芯片架構(gòu)實(shí)際上是什么樣子的細(xì)節(jié)。它并沒有表明 Big Chip 是否會(huì)像特斯拉對(duì) Dojo 那樣采用小芯片方法,或者像 Cerebras 從一開始就一路向晶圓級(jí)發(fā)展。

據(jù)中科院研究人員介紹,名為“浙江”的大芯片實(shí)施將在22 納米工藝。

“浙江”大芯片由 16 個(gè)小芯片組成,每個(gè)小芯片有 16 個(gè)RISC-V 內(nèi)核。研究人員表示,該設(shè)計(jì)能夠在單個(gè)分立器件中擴(kuò)展至100 個(gè)小芯片,我們過去稱之為插槽,但對(duì)我們來說聽起來更像是系統(tǒng)板。目前尚不清楚這 100 個(gè)小芯片將如何配置,也不清楚這些小芯片將實(shí)現(xiàn)什么樣的內(nèi)存架構(gòu)(陣列中將有 1,600 個(gè)內(nèi)核)。

我們所知道的是,隨著“浙江”大芯片迭代,有 16 個(gè)RISC-V 處理器使用芯片上的網(wǎng)絡(luò)在共享主內(nèi)存上進(jìn)行對(duì)稱多處理,相互連接,并且小芯片之間有 SMP 鏈接,因此每個(gè)塊可以在整個(gè)復(fù)合體中共享內(nèi)存。

以下是“浙江” RISC-V 小芯片的框圖:

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以下是如何使用中介層將 16 個(gè)小芯片捆綁在一起形成具有共享內(nèi)存的 256 核計(jì)算復(fù)合體,從而實(shí)現(xiàn)芯片間 (D2D) 互連:

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中科院研究人員表示,絕對(duì)沒有什么可以阻止這種小芯片設(shè)計(jì)以晶圓級(jí)實(shí)現(xiàn)。然而,對(duì)于這次迭代,看起來它將是使用 2.5D 中介層互連的小芯片

互連與計(jì)算元件一樣重要,這在系統(tǒng)和子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中始終如此。

“該接口是使用基于時(shí)間復(fù)用機(jī)制的通道共享技術(shù)設(shè)計(jì)的,”研究人員在談到D2D 互連時(shí)寫道。“這種方法減少了芯片間信號(hào)的數(shù)量,從而最大限度地減少了 I/O 凸塊和內(nèi)插器布線資源的面積開銷,從而可以顯著降低基板設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。小芯片終止于頂部金屬層,微型 I/O 焊盤就建在該金屬層上。”

雖然一個(gè)大芯片計(jì)算引擎作為多芯片或晶圓級(jí)復(fù)合體可能很有趣,但重要的是如何將這些設(shè)備互連以提供百億億級(jí)計(jì)算系統(tǒng)。以下是中科院研究人員對(duì)此的看法:

“對(duì)于當(dāng)前和未來的超大規(guī)模計(jì)算,我們預(yù)測(cè)分層芯片架構(gòu)是一種強(qiáng)大而靈活的解決方案,”研究人員在描述這種計(jì)算和內(nèi)存的分層結(jié)構(gòu)時(shí)寫道,如下圖所示,這是中科院論文的一段冗長引文。“分層小芯片架構(gòu)被設(shè)計(jì)為具有多個(gè)內(nèi)核和許多具有分層互連的小芯片。在chiplet內(nèi)部,內(nèi)核使用超低延遲互連進(jìn)行通信,而chiplet之間則以得益于先進(jìn)封裝技術(shù)的低延遲互連,從而在這種高可擴(kuò)展性系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)片上延遲和NUMA效應(yīng)可以最小化。存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)包含核心存儲(chǔ)器、片內(nèi)存儲(chǔ)器和片外存儲(chǔ)器。這三個(gè)級(jí)別的內(nèi)存在內(nèi)存帶寬、延遲、功耗和成本方面有所不同。在分層chiplet架構(gòu)的概述中,多個(gè)核心通過交叉交換機(jī)連接并共享緩存。這就形成了一個(gè)pod結(jié)構(gòu),并且pod通過chiplet內(nèi)網(wǎng)絡(luò)互連。多個(gè)pod形成一個(gè)chiplet,chiplet通過chiplet間網(wǎng)絡(luò)互連,然后連接到片外存儲(chǔ)器。需要仔細(xì)設(shè)計(jì)才能充分利用這種層次結(jié)構(gòu)。合理利用內(nèi)存帶寬來平衡不同計(jì)算層次的工作負(fù)載可以顯著提高chiplet系統(tǒng)效率。正確設(shè)計(jì)通信網(wǎng)絡(luò)資源可以確保小芯片協(xié)同執(zhí)行共享內(nèi)存任務(wù)。”

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很難反駁這句話中所說的任何內(nèi)容,但 中科院 研究人員并沒有說明他們將如何實(shí)際處理這些問題。這是最困難的部分。

有趣的是,該圖中的內(nèi)核被稱為“可編程”和“可重新配置”,但我們不確定這意味著什么。它可能需要使用可變線程技術(shù)(例如 IBM 的Power8、Power9 和 Power10 處理器)來完成更多工作,而不是在核心中混合使用 CPUFPGA 元件。

中科院研究人員表示,大芯片計(jì)算引擎將由超過 1 萬億個(gè)晶體管組成,占據(jù)數(shù)千平方毫米的總面積,采用小芯片封裝或計(jì)算和存儲(chǔ)塊的晶圓級(jí)集成。對(duì)于百億億次 HPC 和 AI 工作負(fù)載,我們認(rèn)為中科院很可能正在考慮 HBM 堆疊DRAM 或其他一些替代double-pumped主內(nèi)存,例如英特爾和 SK Hynix 開發(fā)的MCR 內(nèi)存。RISV-V 內(nèi)核可能會(huì)有大量本地 SRAM 進(jìn)行計(jì)算,這可能會(huì)消除對(duì) HBM 內(nèi)存的需求,并允許使用 MCR double-pumped技術(shù)加速 DDR5 內(nèi)存。很大程度上取決于工作負(fù)載以及它們對(duì)內(nèi)存容量和內(nèi)存帶寬的敏感程度。

Big Chip 論文列出了一份未來技術(shù)的愿望清單,例如光電計(jì)算、近內(nèi)存計(jì)算以及可以添加到 Big Chip 復(fù)合體中的3D 堆棧式緩存和主內(nèi)存 - 看起來像是使用光學(xué) I /O 處理器是首選。但并未透露其正在研究的內(nèi)容以及何時(shí)可以交付。

本文由EETOP綜合整理編譯自nextplatform


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