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有媒體指出，韓國記憶體大廠SK 海力士嘗試開發(fā)全新方式GPU，將邏輯晶片、高頻寬記憶體（HBM）堆疊在一起，這也將是業(yè)界首創(chuàng)。SK 海力士已與輝達(dá)等半導(dǎo)體公司針對該專案進(jìn)行合作，據(jù)報導(dǎo)當(dāng)中的先進(jìn)封裝技術(shù)有望委托臺積電，作為首選代工廠。

韓媒中央日報（The Joonang）報導(dǎo)，HBM4 目標(biāo)是直接放置在輝達(dá)、AMD等公司GPU 晶片上。目前HBM 是堆疊放置在GPU 旁邊，透過兩個晶片下面的中介層（ interposer）連接，不過SK 海力士新目標(biāo)是完全消除中介層，將HBM4 透過3D 堆疊直接整合在晶片上。

圖源：pixabay

外媒Tom's Hardware 指出，這種設(shè)計與AMD V-Cache 類似，后者將一小塊L3 快取（cache）直接放在CPU 頂部，新技術(shù)則是則將GPU 所有記憶體放在GPU 頂部或幾個晶片的頂部。

中央日報認(rèn)為，這項技術(shù)有望徹底改變半導(dǎo)體和代工產(chǎn)業(yè)，但還需要一段時日。一位韓國產(chǎn)業(yè)官員表示，「這種技術(shù)可能10 年內(nèi)實現(xiàn)，最終區(qū)分記憶體晶片和邏輯晶片可能變得毫無意義」。

這種技術(shù)優(yōu)點是縮小封裝尺寸、提高性能，但散熱將是最大問題。采用V-Cache 的AMD CPU，公司必須降低TDP 和時脈頻率，以補(bǔ)償3D cache 產(chǎn)生的額外熱量，像輝達(dá)H100 這種資料中心GPU，需要80-96GB 的HBM，在容量和熱量與V- cache 完全難比擬。

SK 海力士的HBM4 預(yù)計2026 年問世，三星也在開發(fā)類似專案，可能與SK 海力士競爭，從輝達(dá)、AMD、蘋果公司那獲得這些設(shè)計的訂單。

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