可重構(gòu)晶體管取得新進(jìn)展！制造后也可改變屬性！
2023-07-07 12:14:24 EETOP為了繼續(xù)獲得縮放的性能優(yōu)勢(shì)而不實(shí)際縮小元件尺寸，研究人員現(xiàn)在正在追求一種新概念：可重構(gòu)晶體管。本周，隆德大學(xué)的研究人員宣布了一項(xiàng)研究，描述了使用鐵電材料的可重構(gòu)晶體管的所取得的突破。
在這篇文章中，我們將討論可重構(gòu)晶體管、鐵電材料和隆德大學(xué)的新型晶體管原型的優(yōu)點(diǎn)。
隨著摩爾定律放緩至接近停止，研究人員現(xiàn)在正在考慮將可重構(gòu)晶體管作為技術(shù)的新范式轉(zhuǎn)變。
在傳統(tǒng)晶體管中，標(biāo)準(zhǔn)器件屬性，例如極性（n 型和 p 型）和閾值電壓，是在制造過程中預(yù)先定義的，之后無法更改。雖然該方案到目前為止已經(jīng)奏效，但它最終限制了設(shè)備的靈活性及其對(duì)不斷變化的需求或條件的適應(yīng)性。
另一方面，可重構(gòu)晶體管是一種特殊形式的晶體管，即使在制造后也可以改變這些屬性。科學(xué)家可以使用控制器件特性的特殊材料和結(jié)構(gòu)來重新配置晶體管的特性。例如，單個(gè)可重構(gòu)晶體管有可能執(zhí)行多個(gè)傳統(tǒng)晶體管的功能，從而形成更緊湊、更高效的電路。此外，可重構(gòu)晶體管可用于創(chuàng)建更靈活、適應(yīng)性更強(qiáng)的電子系統(tǒng)，能夠根據(jù)不斷變化的條件或要求調(diào)整其行為。
與傳統(tǒng)晶體管不同，可重構(gòu)晶體管可以在制造后改變其屬性，從而提供前所未有的靈活性和控制力。這種適應(yīng)性對(duì)于開發(fā)更小、更節(jié)能的電路至關(guān)重要，這些電路可以增強(qiáng)內(nèi)存存儲(chǔ)和計(jì)算能力。
為了追求商業(yè)上可行的可重構(gòu)晶體管，鐵電 FET (FeFET)是一項(xiàng)正在大力投資的技術(shù)。
鐵電材料是一類表現(xiàn)出受外部電場(chǎng)影響的電極化的材料。值得注意的是，即使移除外加電壓后，F(xiàn)eFET 的極化仍保持恒定。在可重構(gòu)晶體管的背景下，鐵電材料用于創(chuàng)建“記憶”功能，其中材料的極化變化可用于改變晶體管的特性。
改變和記住晶體管狀態(tài)的能力為可重構(gòu)性開辟了廣泛的可能性。例如，可以根據(jù)電路的需要重新配置單個(gè)晶體管以在不同時(shí)間執(zhí)行不同的功能。或者，可重構(gòu) FeFET 可以通過調(diào)節(jié)鐵電極化并向柵電極施加電壓脈沖來實(shí)現(xiàn)閾值電壓的偏移。
最終，這可能會(huì)導(dǎo)致更緊湊、更高效的電路，甚至是能夠適應(yīng)不斷變化的條件或要求的新型電子設(shè)備。
在隆德大學(xué)的新研究中，研究小組研究了基于鐵電材料的新型可重構(gòu)晶體管。
該團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建了直接位于結(jié)點(diǎn)附近的鐵電“顆粒”，可以控制晶體管中的隧道結(jié)。這些顆粒的尺寸約為 10 納米，可以在個(gè)體水平上進(jìn)行控制；以前的研究只能控制整個(gè)谷物組。
AIlj1ys1X3ZBAxwUn899cebZMfCpL6MduOtzrg/640?wx_fmt=png" data-type="png" data-w="550" data-index="4" src="http://www.xebio.com.cn/uploadfile/2023/0707/20230707121511588.jpg" _width="550px" crossorigin="anonymous" alt="圖片" data-fail="0" style=";padding: 0px;outline: 0px;max-width: 100%;box-sizing: border-box !important;overflow-wrap: break-word !important;vertical-align: bottom;height: auto !important;width: 550px !important;visibility: visible !important"/>
這項(xiàng)研究最終開發(fā)出了一種新型晶體管，稱為鐵 TFET（隧道 FET）。新器件在較小的面積 (~0.01 μm 2 )內(nèi)提供顯著較低的電源電壓（低至 50 mV），同時(shí)在目標(biāo)頻率下保持高輸出功率集中度。研究人員表示，這是由于該器件的垂直納米線結(jié)構(gòu)以及各種電源電壓下傳輸曲線的拋物線形狀，無需濾波器即可大幅抑制諧波。
研究人員還通過設(shè)計(jì)柵極/源極重疊結(jié)構(gòu)，在鐵 TFET 中實(shí)現(xiàn)了負(fù)跨導(dǎo) (NTC)。NTC 行為可以通過改變鐵電柵極氧化物的極化來重新配置，從而導(dǎo)致 IV 曲線中峰值電壓的變化和真正的可重構(gòu)性。
關(guān)鍵詞： 可重構(gòu)晶體管
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