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SK 海力士完成1β DRAM 制程技術研發

2023-05-31 11:40:16 EETOP

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SK 海力士宣布，已經完成了1β 制程技術（第五代10nm 等級）研發，并將其技術生產的DDR5 服務器DRAM 進行英特爾數據中心存儲器認證程序（The Intel Data Center Certified memory program），這是英特爾代號Sapphire Rapids 的第四代Xeon 可擴展數據中心處理器所采用的存儲器產品的相容性正式認證流程。

SK 海力士表示，這次提供的DDR5 DRAM 產品運行速度為6.4Gbps，也是同類產品里速率最高的，與初期的測試品項相比，數據處理速度提高了33%。而且，其采用了HKMG （High-K Metal Gate）制程技術，相較第四代10nm 等級的1α 制程技術的產品，功耗降低了20%。

SK 海力士強調，1β制程技術的成功研發，代表著可以向全球客戶供應性能與功耗兼具的DRAM 產品。SK 海力士希望2023 年開始量產最先進的1b 制程技術產品，以業界最高DRAM 競爭力水準改善2023 年下半年的業績。此外，SK 海力士還打算將1β制程技術延伸到LPDDR5T、HBM3E 等產品上。

事實上，近期SK 海力士的財務狀況并不好，上個月公布的2023 財年第一季財務報告顯示，因存儲器半導體市場持續低迷，需求疲軟和產品價格下跌的狀況沖擊，該季營收較2022 財年的第四季減少，且營業虧損加大。為此，SK 海力士決定以DDR5 服務器DRAM 和HBM 等高性能DRAM，加上采用176 層堆疊NAND Flash 的SSD、uMCP 等產品為中心進行銷售，以提升營業收入。

關鍵詞： SK海力士 1β DDR5