三星正開發4F2DRAM，面積最高可減少30%
2023-05-26 21:50:25 technews(臺）原本4F Square是種單元結構技術，DRAM產業早在10年前就嘗試商業化，但以失敗告終。
三星再組織團隊，研發4F2DRAM儲存單元結構芯片，新結構晶體管根據電流流入和流出方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）等整套系統。
結構就是在漏極（D）上方安裝儲存電荷的電容器，晶體管和水平排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸。WL 連到柵極（G），負責晶體管開與關; BL 連到源極（S），負責讀取和寫入數據。
關鍵詞： 4F2DRAM
