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三星量產12nm DDR5:功耗驟降23%、量率提高 20%

2023-05-19 12:53:47 EETOP
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 12 月,三星電子宣布,已成功開發出其首款采用12納米級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。

不到半年,5月18日,三星電子宣布該款12納米級DDR5已經量產。

圖片

由于采用了新工藝,將具有更高的能源效率和傳輸速率。與上一代產品相比,三星新的12納米級DDR5 DRAM的功耗降低了23%,同時將晶圓的利用率提高了20%。

三星之所以能夠開發出12納米級的工藝技術,是因為使用了一種新的高κ材料,有助于提高單元電容。高電容會使數據信號出現明顯的電勢差,從而更容易準確區分這些信號。公司在降低工作電壓和減少噪音方面的努力也有助于提供客戶需要的解決方案。

三星的12納米級DDR5 DRAM陣容擁有每秒7.2Gbps的最高速度,也就是大約一秒鐘內可以處理兩部30GB UHD電影的速度,這使得它可以支持越來越多的應用,包括數據中心、人工智能和下一代計算。


關鍵詞: 三星 12nm DDR5

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