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臺積電 3nm 制程目前良率最高 63%,尚不及 4nm 工藝

2023-04-19 08:05:33 IT之家
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4 月 18 日消息,據外媒報道,臺積電仍采用鰭式場效應晶體管架構的 3nm 制程工藝,在去年的 12 月 29 日正式開始商業化生產,量產之后產能在不斷提升。

對于臺積電量產已一個季度的 3nm 制程工藝,有外媒在報道中預計目前的良品率為 63% 或更低。

就外媒在報道中提到的良品率而言,臺積電 3nm 制程工藝目前的良品率,同更早投產的 4nm 還是有差距。外媒在報道中表示,臺積電 4nm 制程工藝的良品率目前預計在 80% 左右。

雖然目前臺積電 3nm 制程工藝的良品率,預計同 4nm 還有差距,但隨著量產時間的延長,良品率還會繼續提升,未來有望達到甚至超過 4nm 工藝的水平。

全球目前有兩家晶圓代工商已量產 3nm 制程工藝,另一家是三星電子。三星電子的 3nm 制程工藝在去年的 6 月 30 日量產,較臺積電早近半年,所代工的首批晶圓,也已在去年的 7 月 25 日發貨。

不過外媒在報道中,并未提及三星電子 3nm 制程工藝目前的良品率,但他們表示三星電子 4nm 制程工藝的良品率有明顯提升,最少達到了 70%,已接近臺積電 4nm 制程工藝的良品率。


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關鍵詞: 臺積電 3nm 芯片

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