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東芝最新款分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率

2023-03-10 09:00:45 EETOP
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

 

1.jpg 

 

功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過(guò)業(yè)界驗(yàn)證,對(duì)于節(jié)能工作意義重大,其中包括助力實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率的工業(yè)設(shè)備和家用電器中,例如變頻器在空調(diào)中的應(yīng)用越來(lái)越普遍,以及工業(yè)設(shè)備的大型電源需要降低功耗,因此對(duì)高效率開(kāi)關(guān)器件的需求也在增長(zhǎng)。這催生了對(duì)于PFC電路中低損耗開(kāi)關(guān)器件和更高開(kāi)關(guān)頻率的需求。

 

東芝在其新款I(lǐng)GBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行業(yè)領(lǐng)先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低開(kāi)關(guān)損耗(關(guān)斷損耗),與東芝當(dāng)前產(chǎn)品GT50JR22相比降低了大約42%[4]。此外,新款I(lǐng)GBT還包含一個(gè)內(nèi)置的二極管,其正向電壓為1.2V(典型值)[5],比GT50JR22降低了大約43%[5]。這些改進(jìn)有助于顯著提高設(shè)備效率。

 

對(duì)于使用東芝當(dāng)前產(chǎn)品GT50JR22的空調(diào)PFC電路,其工作頻率低于40kHz[6]。而GT30J65MRB是東芝首款用于60kHz[6]以下PFC的IGBT,其可通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗(關(guān)斷損耗)來(lái)確保更高的工作頻率。

 

東芝將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品線,以充分適應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì),并不斷提高設(shè)備效率。

  

? 應(yīng)用:

- 家用電器(空調(diào)等)

- 工業(yè)設(shè)備(工廠自動(dòng)化設(shè)備、多功能打印機(jī)等)

 

? 特性:

- 行業(yè)領(lǐng)先[2]的低開(kāi)關(guān)損耗(關(guān)斷損耗):由最新工藝實(shí)現(xiàn)的Eoff=0.35mJ[3](典型值)

- 采用反向?qū)ǎ≧C)結(jié)構(gòu)的內(nèi)置續(xù)流二極管(FWD)

- 快速開(kāi)關(guān)時(shí)間(下降時(shí)間):tf=40ns(典型值)(TC=25℃、IC=15A、RG=56Ω)

- 低二極管正向電壓:VF=1.2V(典型值)(TC=25℃、IF=15A、VGE=0V)

 

? 主要規(guī)格:

(除非另有說(shuō)明,Ta=25℃)

器件型號(hào)

GT30J65MRB

封裝

TO-3P(N)

絕對(duì)最大

額定值

集電極-發(fā)射極電壓VCES(V)

650

集電極電流(DC)IC(A)

TC=25℃

60

TC=100℃

30

結(jié)溫Tj(℃)

175

集電極-發(fā)射極飽和電壓

VCE(sat)典型值(V)

IC=30A、VGE=15V、TC=25℃

1.40

開(kāi)關(guān)時(shí)間(下降時(shí)間)tf典型值(ns)

電感負(fù)載、

VCE=400V、IC=15A、

VGE=15V、RG=56Ω、TC=25℃

40

開(kāi)關(guān)損耗(關(guān)斷損耗)

Eoff典型值(mJ)

電感負(fù)載、

VCE=400V、IC=15A、

VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃

0.35

二極管正向電壓VF典型值(V)

IF=15A、VGE=0V、TC=25℃

1.20

結(jié)殼熱阻Rth(j-c)最大值(℃/W)

0.75

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關(guān)鍵詞: 東芝 IGBT 芯片

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