三星3納米 GAA 制程良率僅20%！急尋美國合作伙伴改進
2022-11-22 17:04:06 EETOP三星在今年6月底宣布，其位于韓國的華城工廠開始生產3納米芯片，使用新的GAA (gate -全能)結構晶體管技術。三星方面表示，與最初使用FinFET的5nm工藝相比，第一代3nm GAA工藝節點在功耗、性能和面積(PPA)方面都有不同程度的改善，面積減少16%，性能提高23%，功耗降低45%。到第二代3nm芯片時，面積減小了35%，性能提高了30%，功耗降低了50%。
雖然三星在3nm工藝節點上似乎領先了一步，但實際生產并非一帆風順。根據ctee的報告，與之前的4/5nm工藝一樣，三星在3nm GAA工藝的生產中也遇到了挫折，良率只有20%。正是因為三星在4/5nm制程上的低良率，才迫使高通等主要客戶將旗艦SoC訂單轉移給臺積電。
據外媒報道，為了克服生產過程中遇到的諸多障礙，三星選擇與美國Silicon Frontline Technology公司合作，協助其提高3nm GAA工藝的良率。
至于，為什么Silicon Frontline Technology 是理想的合作伙伴，原因是該公司已經藉由水質和靜電放電（ESD）預防技術降低生產過程中的缺陷，以提高晶圓的生產良率。
報道稱調，靜電放電是晶圓生產過程中產生缺陷的主要原因，這可以解釋三星3納米GAA 技術的良率過低的狀況。到目前為止，雖然三星號稱已經透過整合其合作伙伴使用的技術獲得了積極成果，但實際成果還需要在未來幾個月內持續觀察，屆時客戶不是將排隊體驗這種尖端制造技術，就是進一步轉單到臺積電去。
目前，三星的3納米GAA 技術制程除了之前有報道，表示三星將向加密貨幣設備商供應首批芯片之外，至今還未能向智能手機芯片設計商提供服務。除此之外，三星還有可能重新恢復與高通的合作伙伴關系，因為高通預計在未來的芯片生產當中，同時使用三星與臺積電的多方供應模式。然而，如果三星繼續讓其3納米GAA 技術制程的低良率情況發生，則許多客戶可能會不愿向該公司下訂單。
Silicon Frontline Technology官網公司介紹摘錄如下：
