東芝推出面向更高效工業設備的第三代SiC MOSFET
2022-09-13 09:33:10 EETOP東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。
新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。
東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現碳中和經濟。
? 應用：
- 開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）
- 電動汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源（UPS）
? 特性：
- 單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）
- 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
? 主要規格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）
器件型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | 電氣特性 | 庫存查詢與購買 | |||||||
漏極-源極電壓 VDSS（V） | 柵極-源極電壓 VGSS（V） | 漏極電流 （DC） ID（A） | 漏極-源極導通電阻 RDS(ON) 典型值（mΩ） | 柵極閾值電壓 Vth（V） | 總柵極電荷 Qg 典型值（nC） | 柵極-漏極電荷 Qgd 典型值（nC） | 輸入電容 Ciss 典型值（pF） | 二極管正向電壓 VDSF典型值 （V） | |||
@Tc＝25℃ | @VGS＝18V | @VDS＝10V | @VDS＝400V、 F＝100kHz | @VGS＝-5V | |||||||
TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | -1.35 | 在線購買 |
TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在線購買 | |||||
TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在線購買 | |||||
TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在線購買 | |||||
TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在線購買 | |||||
TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 在線購買 | ||||
TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在線購買 | |||||
TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在線購買 | |||||
TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在線購買 | |||||
TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在線購買 | |||||
注：
[1] 通過采用為第二代SiC MOSFET開發的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區域反饋電容的器件架構。
[2] MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。
[3] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。
[4] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。
