華為與中科院共研 新3D DRAM芯片有望突破存儲(chǔ)關(guān)鍵根技術(shù)
2022-05-25 08:41:47 快科技近日，有日本媒體表示，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)，進(jìn)行各種有關(guān)內(nèi)存的演示。
據(jù)外媒透露，華為這次發(fā)布的3D DRAM 技術(shù)，是基于銦鎵鋅氧 IGZO-FET材料的 CAA 構(gòu)型晶體管 3D DRAM 技術(shù)，具有出色的溫度穩(wěn)定性和可靠性。
在華為此前發(fā)布的存儲(chǔ)器相關(guān)文章 ——《華為麒麟帶你一圖看懂存儲(chǔ)器》中，華為表示隨著芯片尺寸的微縮，DRAM 工藝微縮將越來(lái)越困難，“摩爾定律”走向極限，因此各大廠商在研究 3D DRAM 作為解決方案來(lái)延續(xù) DRAM 的使用。
而在 IEDM 2021 上，中科院微電子所團(tuán)隊(duì)聯(lián)合華為海思，提出了新型垂直環(huán)形溝道器件結(jié)構(gòu)（CAA）。據(jù)悉，該結(jié)構(gòu)減小了器件面積，支持多層堆疊。其通過(guò)將上下兩個(gè) CAA 器件直接相連，每個(gè)存儲(chǔ)單元的尺寸可減小至 4F2。
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