東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
2021-12-02 09:40:53
東芝
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中國(guó)上海,2021年11月30日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。這兩款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。
TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備,現(xiàn)在可直接通過(guò)該光耦驅(qū)動(dòng)其IGBT/MOSFET而無(wú)需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)小型化。
TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤(pán)[1],便于替代東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠?yàn)殡娐钒褰M件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,或用于器件高度受限的新型電路設(shè)計(jì)。
這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達(dá)到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設(shè)計(jì)和保持溫度裕度。
此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項(xiàng)。
Ø 應(yīng)用:
工業(yè)設(shè)備
- 工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動(dòng)器、光伏逆變器、UPS等。
Ø 特性:
- 高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)
IOP=±2.5A(TLP5702H)
IOP=±5.0A(TLP5705H)
- 薄型SO6L封裝
- 高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃
Ø 主要規(guī)格:
(除非另有說(shuō)明,@Ta=-40℃至125℃)
器件型號(hào) |
|
TLP5702H |
TLP5705H |
TLP5702H
(LF4) |
|
TLP5705H
(LF4) |
封裝 |
名稱 |
SO6L |
SO6L(LF4) |
尺寸(毫米) |
10×3.84(典型值),
厚度:2.3(最大值) |
11.05×3.84(典型值),
厚度:2.3(最大值) |
絕對(duì)最大額定值 |
工作溫度Topr(℃) |
-40至125 |
峰值輸出電流IOPH/IOPL(A) |
±2.5 |
±5.0 |
±2.5 |
±5.0 |
電氣特性 |
峰值高電平輸出電流
IOPH最大值(A) |
@IF=5mA,
VCC=15V,
V6-5=-7V |
-2.0 |
峰值低電平輸出電流
IOPL最小值(A) |
@IF=0mA,
VCC=15V,
V5-4=7V |
2.0 |
峰值高電平輸出電流(L/H)
IOLH最大值(A) |
@IF=0→10mA,
VCC=15V,
Cg=0.18μF,
CVDD=10μF |
- |
-3.5 |
- |
-3.5 |
峰值低電平輸出電流(H/L)
IOHL最小值(A) |
@IF=10→0mA,
VCC=15V,
Cg=0.18μF,
CVDD=10μF |
- |
3.0 |
- |
3.0 |
電源電壓VCC(V) |
15至30 |
電源電流ICCH,ICCL最大值(mA) |
3.0 |
輸入電流閾值(L/H)
IFLH最大值(mA) |
5 |
開(kāi)關(guān)特性 |
傳播延遲時(shí)間
tpHL,tpLH最大值(ns) |
200 |
脈寬失真
|tpHL–tpLH|最大值(ns) |
50 |
傳播延遲差
(器件到器件)
tpsk(ns) |
-80至80 |
共模瞬變抗性
CMH,CML最小值(kV/μs) |
@Ta=25℃ |
±50 |
隔離特性 |
隔離電壓
BVS最小值(Vrms) |
@Ta=25℃ |
5000 |
庫(kù)存查詢與購(gòu)買(mǎi) |
|
在線購(gòu)買(mǎi) |
在線購(gòu)買(mǎi) |
- |
|
- |
注:
[1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)
[2] 現(xiàn)有產(chǎn)品:采用SDIP6封裝的TLP700H
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TLP5702H
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TLP5705H
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關(guān)鍵詞:
東芝
IGBT
MOSFET