臺積電和FinFET時代
2021-06-21 13:19:16 EETOP
臺積電對 FinFET 采取了不同的方法。在掌握了 20nm 的雙重成像技術之后，臺積電在16nm制程上采用了FinFET，密度小于Intel 14nm。三星 14nm 與臺積電 16nm 的密度相似，但三星卻假裝自己能與英特爾競爭。這就是為什么流程節點現在是營銷術語，我認為。
這一切都始于我所說的蘋果半步過程開發方法。臺積電每年都會為蘋果公司推出新的工藝版本。在此之前，過程就像美酒，只有在符合摩爾定律的前提下才會被打開。TSMC繼續在HVM (7nm)工藝中添加部分EUV層，然后以非常可控的方式將更多的EUV層添加到5nm和3nm，從而實現卓越的良率學習和打破記錄的工藝斜坡。
Intel 14nm也是“Intelvs TSMC”營銷戰開始的時候。英特爾堅持認為臺積電 20nm 是失敗的，因為它不包括 FinFET，代工廠不能跟隨英特爾，因為他們是 IDM，而臺積電只是一家沒有內部設計經驗的代工廠。
正如我們現在所知，英特爾在很多方面都錯了。首先，代工業務是一項服務業務，有一個龐大的合作生態系統，這使IDM代工廠處于明顯的劣勢。看看英特爾IDM 2.0戰略的結果將是有趣的，但大多數人猜測它將比以前的嘗試更加失敗
現在讓我們快速看一看臺積電FinFET流程收入從2019年第一季度開始以及隨后幾年的第一季度對比:
