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中國大陸SiC襯底與外延現(xiàn)況

襯底：中國大陸廠商與國際龍頭Cree在襯底技術(shù)差距仍大，但正逐步縮小。現(xiàn)階段中國多數(shù)襯底廠商具備6吋量產(chǎn)能力，山西爍科8吋SiC襯底片已研發(fā)成功，雖僅落后Cree一年，但量產(chǎn)進(jìn)程還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及（Cree位于美國北卡羅萊納州的8吋SiC產(chǎn)線預(yù)計2022上半年開始產(chǎn)能爬坡）。

外延：中國純粹外延片供應(yīng)商主要有兩家：廈門瀚天天成、東莞天域，均可提供4 / 6吋外延片；此外，中電科13所、55所皆有內(nèi)部供應(yīng)的外延片生產(chǎn)部門。

中國大陸GaN襯底與外延現(xiàn)況

襯底：目前全球GaN單晶襯底市場以日本研究水準(zhǔn)較高；在中國大陸方面，蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特等極少數(shù)玩家具備GaN襯底制備能力。

外延：主流GaN外延片（Si基／SiC基）供應(yīng)商依舊集中在歐洲國家和日本，中國大陸廠商尚未進(jìn)入供給端第一梯隊(duì)，僅蘇州晶湛、聚力成、聚能晶源等廠商參與。

中國大陸SiC襯底產(chǎn)線布局與尺寸、價格趨勢

尺寸方面，6吋襯底已全面實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，Cree首批8吋襯底預(yù)計2022年試產(chǎn)，2024年全面量產(chǎn)。隨著SiC電力電子器件大規(guī)模推廣應(yīng)用，對器件成本會越來越敏感，未來大尺寸襯底比例將不斷增加。

價格方面，盡管目前4吋SiC襯底成本不到6吋一半，在低階器件市場如二極體等，4吋襯底尚有一定競爭力，但隨著SiC材料技術(shù)進(jìn)一步成熟，6吋襯底降價空間非常大，預(yù)計5年左右會降至目前4吋片價格。在8吋襯底方面，前期產(chǎn)能爬坡過程中成本較高，但進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段后，成本將迅速下降，最終會有成本優(yōu)勢交叉點(diǎn)。

一線新能源車企預(yù)計2025年全面采用SiC替代方案，僅逆變器部分就將消耗絕大部分SiC襯底產(chǎn)能，若再將車載OBC、DC/ DC等組件考慮進(jìn)去，需求量將進(jìn)一步擴(kuò)大，因此2025年有望成為SiC襯底價格下降的關(guān)鍵轉(zhuǎn)捩點(diǎn)。