imec/ASML公開EUV光刻機單次曝光極限
2021-03-16 13:59:43 EETOP具體來說，通過工藝優化，使用Inpria的金屬氧化物抗蝕劑(MOx)在一次曝光中實現了高密度的28納米間距線/空間圖案化，并考慮到了大規模生產。
使用NXE獲得的28nm間距接觸孔；NA = 0.33的3400全場掃描儀。顯影后的SEM圖像
該團隊能夠將光學和電子束檢測與電學數據相關聯，從而進一步洞察改善概率缺陷，包括缺陷和電橋。此外，通過對光源的優化，使NXE:3400能夠刻出盡可能小的間距(間距為24 nm的線/空間和間距為28 nm的接觸孔)，使下一代高NA EUV光刻系統所需的材料得以盡早開發。
據imec介紹，EUV光刻技術已經到了一個關鍵時刻，要么轉向多圖案化（多次曝光），為下一代IC刻錄更密集的圖案，要么用目前的NA=0.33全場掃描器進一步改進單圖案化。。
imec高級圖案計劃負責人Kurt Ronse說：“與多重曝光相比，單詞曝光具有明顯的成本優勢，并且工藝簡單得多。” Imec和ASML適用于線條/空間。它證明了28nm間距的單一曝光圖案準備就緒。這對應于5nm技術節點的關鍵BEOL金屬布線層，接近NXE：3400光刻機的極限。
imec高級圖案化工藝和材料開發副總裁Steven Scheer補充說："除了提高單次曝光EUVL對大批量生產的限制外，imec和ASML還將提高NXE:3400的NA=0.33的分辨率，并將其應用于高NA EUVL工具的早期材料開發平臺。作為imec圖案生態系統的一部分，抗蝕劑、計量學和蝕刻工藝開發之間的聯系將為加速下一代EUVL的引入提供機會，即具有高NA的EXE:5000。除了解釋這項研究的意義外，該公司還希望未來能提供一種高NA電阻成像功能，用于8nm間距以下的圖案化。
