臺日合作研發新一代晶體管，用于2納米半導體制造
2021-03-09 13:05:55 EETOP
TSRI在去年12月下旬公布，于IEEE國際電子器件會議IEDM（
International Electron Devices Meeting）線上會議中，與日本產業技術總合研究所共同開發低溫芯片鍵合技術；相關技術可將不同通道材料的基板，直接鍵合成一個基板，并應用在互補式晶體管器件上。
這項技術可有效減少器件的面積，提供下一代半導體在多層鍵合與異質整合的研究可行性參考。
日本經濟新聞中文網今天報道，這項共同研究計劃從2018 年啟動，日本和臺灣研究機構各自發揮優勢；日本產業技術總合研究所利用先前累積的材料開發知識和堆疊異種材料的技術，TSRI在異質材料堆疊晶體管的設計和試制技術上提供協助。
相關技術是將硅（Si）和鍺（Ge）等不同通道材料從上下方堆疊、使「n 型」和「p 型」場效應晶體管（FET）靠近、名為CFET 的結構。
報道指出，與之前晶體管相比，CFET 結構的晶體管性能高、面積小，有助制造2納米以下線寬的新一代半導體；此次開發的新型晶體管，預計應用在2024 年以后的先進半導體。
日本產業技術總合研究所表示，相關技術在世界上是首次，規劃未來3 年內向民間企業轉讓技術，實現商用化。
晶圓代工龍頭臺積電也積極布局先進半導體制程，董事長劉德音日前指出，臺積電3納米制程依計劃推進，甚至比預期還超前一些。臺積電原訂3納米今年試產，預計2022 年下半年量產；臺積電規劃3納米采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構，2納米之后轉向環繞閘極（GAA）架構。
臺積電日前也公告赴日本投資定案，將在日本投資設立100% 持股子公司，實收資本額不超過186 億日圓，約1.86 億美元，擴展3D芯片（3DIC）材料研究，預計今年完成。
