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富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運行的新款2Mbit FRAM

2020-05-13 10:05:44 富士通電子

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富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設接口（SPI）。目前可為客戶提供評測版樣品，將在6月實現(xiàn)量產。

這款全新FRAM產品是汽車電子電控單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場對低功耗電子器件的需求，如ADAS。

FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對傳統(tǒng)非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。

自2017年以來，富士通電子不斷推出工作電壓3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽車級FRAM產品。但高端汽車電控單元的推出，使得一些客戶開始要求FRAM的工作電壓低于1.8V。富士通電子近日推出的這款全新FRAM正是為了滿足這一市場需求而面世的。

MB85RS2MLY在-40°C至+125°C溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫次數(shù)，適合某些需要實時數(shù)據記錄的應用，比如連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據，則寫入次數(shù)將超過30億。另外，這款產品可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到汽車級產品的認證標準。因此，在數(shù)據寫入耐久性和可靠性方面，富士通電子最新推出的這款FRAM完全支持ADAS等需要實時數(shù)據記錄的應用。

這款FRAM產品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外，還提供外形尺寸為5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN（無引線雙側扁平）封裝。

圖3：8pin DFN和8pin SOP封裝

除2Mbit FRAM，富士通電子目前正在研發(fā)125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲產品。富士通電子將繼續(xù)提供內存產品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。

關鍵規(guī)格

組件型號：MB85RS2MLY
容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位）
接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
運作頻率：最高50 MHz
運作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特
運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度
讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次)
封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN
認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1

詞匯與備注

注一：鐵電隨機存取內存（FRAM）

FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數(shù)據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。

關鍵詞：富士通電子 FRAM 低功耗