中芯國際7納米量產在即!
2020-03-03 09:39:27 芯思想 作者：趙元闖先進工藝都是客戶逼出來的，這話看來真沒錯。
中芯國際(00981)宣布在2020年底將量產N+1(7納米)，成本較目前市場上7納米低10%。這是繼2019年第四季度量產14納米后，中芯國際的技術研發的再一次重大突破。
透過中芯國際2019年第四季財報可以看到，14納米貢獻當季營收的1%，表明第一代FinFET制程已經開始小批量出貨。
按照晶圓代工的工藝規劃，每代工藝節點至少有兩種以上制程，預估中芯國際的14納米和N+1都起碼有兩種技術制程，分別應用于低功耗和高性能。目前NTO客戶包括高端消費電子芯片、高速運算芯片、智能手機AP和基帶芯片、AI芯片、汽車應用芯片等。
在第二代FinFET制程N+1方面，2019 年第四季進入NTO(New Tape-out)階段，目前正處于客戶產品認證期，預計2020年第四季可以看到小量產出。
梁孟松在業績說明會上表示，N+1與中芯國際14納米制程比較，效能增加20%、功耗減少57%、邏輯面積減少63%、SoC 面積減少55%。
從上表來看，中芯國際N+1和目前市場上的7納米相比，指標方面非常相似，唯一的區別在于性能提升，N+1有20%的提升，而友商宣稱有30%的提升。如此看來，N+1應該位于10納米和7納米之間，不過現在這年頭，工藝節點到底怎么分，誰也說不清。
在業績說明會上，中芯國際公布了14納米制程產能的擴產計劃，產能將從目前3000片擴大到15000片，共分三個時間節點：2020年3月擴產到4000 片、7月到9000片、12月朝15000 片邁進。如此看來，14納米在2020年將開始放量。
不過這15000片的產能應該有一部分是14納米的微縮版12納米，目前12納米的NTO超過14nm還多，制程主要是瞄準低階AP處理器等。
由于FinFET制程的產能非常昂貴，平均每擴充1000片需要投資1.5億至2.5億美元，梁孟松在業績說明會上也強調，產能擴充前會全面評估客戶需求、預算，以及讓毛利率受到的沖擊降至最低。如此預估未來中芯國際的7納米產能建置應該和14納米相當。
對于N+1之后的N+2，梁孟松表示，N+2和N+1比較在性能方面有所提升，N+1和N+2的差異僅在于成本。同時梁孟松還表示，對于N+1和N+2，不會使用EUV方案。當EUV準備就緒時，N+2的部分層將會使用EUV。
看看友商的工藝進展，臺積電(TSM.US)將于今年量產5納米以及7納米的微縮版6納米，并將進行N5+試產;三星也將在今年量產7納米(EUV)和5納米。
