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千倍于閃存!格芯完成22FDX技術開發 將批量生產eMRAM芯片

2020-02-28 08:07:41 快科技
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據外媒報道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術開發,而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。

eMRAM這種綜合了RAM內存、NAND閃存的新型非易失性存儲介質斷電后不會丟失數據,寫入速度則數千倍于閃存,可以兼做內存和硬盤,甚至統一兩者。同時很關鍵的是,它對制造工藝要求低,良品率也高得多,可以更好地控制成本,成品價格自然不會太離譜。

事實上,除了GlobalFoundries外,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究eMRAM。

GlobalFoundries表示,使用其22FDX和eMRAM工藝技術生產的測試芯片,在ECC關閉模式下,在-40°C到125°C的工作溫度下,具有10萬個周期的耐久性和10年的數據保持能力。

此外,GlobalFoundries的eMRAM測試產品還可以通過標準可靠性測試,包括LTOL(168小時)、HTOL(500小時)和5x焊料回流,故障率<1ppm,而生產中的的磁抗擾性問題也得到了有效解決。
 


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關鍵詞: 格芯 NAND

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