ADC速率高達200Gbps，功耗僅700mW！比利時Imec開發出出基于鍺化硅（SiGe) 的BiCMOS 時間交織芯片
2020-02-25 12:27:27
EETOP編譯
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特大學合作模擬時間交織器以700 mW的功耗實現高達100 G200/時間交織是一種使用多個相同的AD轉換器（ADC）來實現高于一個ADC所能支持的采樣率的技術。 為了應對數據爆炸，近年來，數據中心增加了通過光纖電纜的分層網絡互連服務器機架的光鏈路數量。Imec解釋說，這些鏈路需要低成本，低功耗，但需要將信號速度提高到至少100Gbaud。
到目前為止，這些高速光收發器必須使用InP襯底，但是由于制造成本高，InP工藝不適合大規模生產，因此需要使用更便宜的基于Si的CMOS工藝來實現。
BiCMOS芯片結合了四個DAC的輸出和四個25Gbaud流的時間交織以達到100Gbaud的信號速率。
這等效于以100GSps工作的單個DAC，盡管使用PAM-4調制格式實現200 Gbps的數據速率，原型的總功耗仍可降低至700mW。該研究小組指出，與Si一樣，SiGe BiCMOS技術也可以擴展到大規模生產，從而為為下一代數據中心提供經濟高效的高速光收發器鋪平了道路。
關鍵詞：
BiCMOS
鍺化硅
SiGe
Imec
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