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ADC速率高達(dá)200Gbps，功耗僅700mW！比利時(shí)Imec開發(fā)出出基于鍺化硅（SiGe) 的BiCMOS 時(shí)間交織芯片

2020-02-25 12:27:27 EETOP編譯

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特大學(xué)合作模擬時(shí)間交織器以700 mW的功耗實(shí)現(xiàn)高達(dá)100 G200/時(shí)間交織是一種使用多個(gè)相同的AD轉(zhuǎn)換器（ADC）來實(shí)現(xiàn)高于一個(gè)ADC所能支持的采樣率的技術(shù)。為了應(yīng)對數(shù)據(jù)爆炸，近年來，數(shù)據(jù)中心增加了通過光纖電纜的分層網(wǎng)絡(luò)互連服務(wù)器機(jī)架的光鏈路數(shù)量。Imec解釋說，這些鏈路需要低成本，低功耗，但需要將信號速度提高到至少100Gbaud。

到目前為止，這些高速光收發(fā)器必須使用InP襯底，但是由于制造成本高，InP工藝不適合大規(guī)模生產(chǎn)，因此需要使用更便宜的基于Si的CMOS工藝來實(shí)現(xiàn)。

BiCMOS芯片結(jié)合了四個(gè)DAC的輸出和四個(gè)25Gbaud流的時(shí)間交織以達(dá)到100Gbaud的信號速率。

這等效于以100GSps工作的單個(gè)DAC，盡管使用PAM-4調(diào)制格式實(shí)現(xiàn)200 Gbps的數(shù)據(jù)速率，原型的總功耗仍可降低至700mW。該研究小組指出，與Si一樣，SiGe BiCMOS技術(shù)也可以擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)，從而為為下一代數(shù)據(jù)中心提供經(jīng)濟(jì)高效的高速光收發(fā)器鋪平了道路。

關(guān)鍵詞： BiCMOS 鍺化硅 SiGe Imec