兩大本土GaN外延片項目宣布投產
2019-09-12 09:43:24 觀察者網據介紹，聚能晶源位于青島市即墨區(qū)，主要從事半導體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延 材料的設計、開發(fā)和生產。本項目已投資 5,200 萬元人民幣，設計產能為年產 1 萬片 GaN 外延晶圓，既可生產提供標準結構的 GaN 外延晶圓，也可根據客戶需求 開發(fā)、量產定制化外延晶圓。本項目的投產將有利于聚能晶源正式進入并不斷開 拓第三代半導體材料市場，同時有利于公司 GaN 功率與微波器件設計開發(fā)業(yè)務的 發(fā)展，最終增強公司在第三代半導體及物聯(lián)網領域的綜合競爭實力。
而在9月8日，重慶大足區(qū)人民政府官網也宣布，西部地區(qū)首個氮化鎵外延片工廠聚力成成功試產的第三代半導體產品——氮化鎵外延片。
官網資料顯示，聚力成半導體有限公司(GLC)，團隊由國內外各大知名半導體公司華籍專家組成，旨在採用GaN核心技術以實現電力電子與射頻領域的高速革命。GLC核心技術團隊擁有硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片的開發(fā)及生產能力，基于這些技術，可在芯片生產、封測服務實現了這一革命，該功率IC預估可將開關速度提高100倍，同時將節(jié)能提高40%或更多。
在電力電子領域，GLC具備開發(fā)6英寸650V/100V硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片技術能力，實現650V/15A硅基氮化鎵功率器件的生產工藝。
在微波射頻領域，GLC同樣具有研發(fā)碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延材料的技術能力，技術團隊在射頻芯片生產工藝的開發(fā)，有多年豐富經驗，未來產品將定位為射頻通訊和射頻能量市場。
數據顯示，GLC於重慶市大足區(qū)建設第一期硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片工廠計劃建成年產能24萬片的氮化鎵外延片產線和年產能36萬片的氮化鎵芯片生產和封測產線，總投資約50億人民幣。
目前，國內已有多家企業(yè)布局氮化鎵產業(yè)，除了聚力成半導體外和奶味外，另外還有江蘇能華、英諾賽科、三安集成、江蘇華功、大連芯冠和海威華芯等，其中英諾賽科的8英寸Si基GaN生產線已經相繼開始啟用。早前他們的蘇州工廠也順利封頂。
國產GaN正式掀起了一個新時代，但筆者認為，只有技術過硬，能拿出產品的公司，才會是這波潮流的最終勝利者。
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