美國(guó)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校的科研團(tuán)隊(duì)，在4月20日出版的《科學(xué)報(bào)告》雜志上撰文稱，他們使用一種獨(dú)特方法，研制出了處理速度最快的柔性硅基晶體管，能無(wú)線傳輸數(shù)據(jù)和能量，有望用在包括可穿戴電子設(shè)備和傳感器等在內(nèi)的諸多領(lǐng)域。
目前這一柔性硅晶體管的截止頻率為創(chuàng)紀(jì)錄的38吉赫茲（GHz），而模擬表明，其最高截止頻率甚至能高達(dá)110吉赫茲（GHz）。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，截止頻率越高，晶體管的處理速度越快。
該研究由威斯康星大學(xué)麥迪遜分校電子和計(jì)算機(jī)以及工程學(xué)教授馬振強(qiáng)（音譯）、科學(xué)家金正勛（音譯）領(lǐng)導(dǎo)。他們運(yùn)用低溫處理手段，借助簡(jiǎn)單且成本低廉的納米壓印技術(shù)，在置于聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET）基座上的柔性單硅晶體管上，畫(huà)出了電路。
在傳統(tǒng)的選擇摻雜方法中，一般會(huì)將雜質(zhì)引入材料內(nèi)的精確位置，從而增強(qiáng)其導(dǎo)電性，但有時(shí)候，摻雜劑會(huì)混進(jìn)材料內(nèi)不屬于它的區(qū)域，導(dǎo)致短溝道效應(yīng)。但在最新研究中，研究人員另辟蹊徑：用一個(gè)摻雜劑將單晶硅覆蓋，而不是選擇摻雜。
他們給晶體管添加了一層光敏材料，利用電子束平印術(shù)，在其上制造出了可重復(fù)使用的納米圖案模型；接著根據(jù)模型內(nèi)的圖案，用干法刻蝕工藝在硅上切割出了精確的納米溝槽，并在溝槽上添加了能作為開(kāi)關(guān)的寬電閘。
由于該高性能晶體管擁有獨(dú)特的三維電流模式，因此耗能更少且效率更高。而且，與傳統(tǒng)制造過(guò)程相比，新方法能劃分出更狹窄的溝槽，也將有助于讓更多晶體管簇?fù)碓趩蝹€(gè)電子設(shè)備上。
馬振強(qiáng)指出，最新方法很容易升級(jí)，用于高效能、低成本的卷對(duì)卷制程中，能使
半導(dǎo)體制造商們以更低成本制造出擁有無(wú)線上網(wǎng)功能的高性能晶體管。
