三星擬提前量產(chǎn)48層V-NAND Q3盼刷新紀(jì)錄
2015-08-10 20:11:04 n據(jù)韓國Edaily報(bào)導(dǎo)，三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計(jì)劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
三星存儲(chǔ)器事業(yè)部專務(wù)白志鎬(音譯)在發(fā)表第2季財(cái)報(bào)時(shí)表示，最晚10月將推出第三代V-NAND。V-NAND的優(yōu)勢為高信賴性、大容量、高性能，以此為基礎(chǔ)，可提升高階產(chǎn)品需求，成本競爭力也較其他產(chǎn)品高。
DRAM市場上存在PCDRAM價(jià)格下滑的疑慮，全球DRAM制造廠已降低PCDRAM的出貨量，并提高移動(dòng)DRAM和服務(wù)器DAM比重。 蘋果(Apple)iPhone6S和三星GalaxyNote5等高階智能型手機(jī)搭載的LPDDR4和固態(tài)硬碟(SSD)用TLC3DNAND產(chǎn)品已邁 入大眾化階段，將出現(xiàn)爆炸性需求。
韓國業(yè)者透露，目前存儲(chǔ)器芯片市場的不安感尚未解除，但三星將透過擴(kuò)大20納米DRAM和V-NAND及10納米級(jí)NAND的比重，大幅改善獲利性，三星可望持續(xù)獨(dú)大存儲(chǔ)器芯片市場。韓國證券業(yè)界推估，三星第3季半導(dǎo)體部門營業(yè)利益可較第2季的3.4兆韓元增加10%以上。
三星的先導(dǎo)投資，也讓業(yè)績展望更樂觀。第2季三星對(duì)半導(dǎo)體事業(yè)投資3.2兆韓元，2015年對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資規(guī)模，將超過14兆韓元。三星2014年率先量產(chǎn)20納米DDR4DRAM和3DNAND，鞏固全球一哥地位。
三星第2季整體營業(yè)利益6.9兆韓元中，半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益占5成以上。半導(dǎo)體事業(yè)營益率也較第1季的28.6%增加1.5個(gè)百分點(diǎn)，為30.1%。
第2季為半導(dǎo)體傳統(tǒng)淡季，然三星DRAM20納米制程比重提高到30%，NAND價(jià)格也維持穩(wěn)定，系統(tǒng)LSI的營收季增逾50%，轉(zhuǎn)虧為盈，帶動(dòng)半導(dǎo)體事業(yè)的獲利性攀升。
韓國業(yè)者指出，三星考慮8月透過公開新品GalaxyNote5和GalaxyS6EdgePlus提振原地踏步的IM部門業(yè)績，但是否可順利達(dá)成目標(biāo)，目前仍不透明，三星第3季的業(yè)績可能仍須由半導(dǎo)體帶動(dòng)。
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