三星擬提前量產48層V-NAND Q3盼刷新紀錄
2015-08-10 20:11:04 n據韓國Edaily報導，三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發作業，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產品后，于2016年生產64層堆疊的V-NAND產品。
三星存儲器事業部專務白志鎬(音譯)在發表第2季財報時表示，最晚10月將推出第三代V-NAND。V-NAND的優勢為高信賴性、大容量、高性能，以此為基礎，可提升高階產品需求，成本競爭力也較其他產品高。
DRAM市場上存在PCDRAM價格下滑的疑慮，全球DRAM制造廠已降低PCDRAM的出貨量，并提高移動DRAM和服務器DAM比重。 蘋果(Apple)iPhone6S和三星GalaxyNote5等高階智能型手機搭載的LPDDR4和固態硬碟(SSD)用TLC3DNAND產品已邁 入大眾化階段，將出現爆炸性需求。
韓國業者透露，目前存儲器芯片市場的不安感尚未解除，但三星將透過擴大20納米DRAM和V-NAND及10納米級NAND的比重，大幅改善獲利性，三星可望持續獨大存儲器芯片市場。韓國證券業界推估，三星第3季半導體部門營業利益可較第2季的3.4兆韓元增加10%以上。
三星的先導投資，也讓業績展望更樂觀。第2季三星對半導體事業投資3.2兆韓元，2015年對半導體領域的投資規模，將超過14兆韓元。三星2014年率先量產20納米DDR4DRAM和3DNAND，鞏固全球一哥地位。
三星第2季整體營業利益6.9兆韓元中，半導體事業的營業利益占5成以上。半導體事業營益率也較第1季的28.6%增加1.5個百分點，為30.1%。
第2季為半導體傳統淡季，然三星DRAM20納米制程比重提高到30%，NAND價格也維持穩定，系統LSI的營收季增逾50%，轉虧為盈，帶動半導體事業的獲利性攀升。
韓國業者指出，三星考慮8月透過公開新品GalaxyNote5和GalaxyS6EdgePlus提振原地踏步的IM部門業績，但是否可順利達成目標，目前仍不透明，三星第3季的業績可能仍須由半導體帶動。
