【日經(jīng)BP社報道】“InGaN的確是一種奇跡般的材料。沒有這種材料，就無法實現(xiàn)高亮度藍色LED。”
因開發(fā)藍色LED而獲得2014年諾貝爾物理學獎的美國加州大學圣塔芭芭拉分校（UCSB）教授中村修二，在2015年7月24日于東京舉
行的研討會“GaN掀起能源革命”（主辦：《日經(jīng)電子》）上發(fā)表演講，說出了上面那句話。中村強調(diào)，通過在發(fā)光層采用InGaN（氮化銦鎵）的“雙異質(zhì)結
構造”，才實現(xiàn)了達到實用水平亮度的藍色LED。
中村介紹稱，在利用InGaN雙異質(zhì)結構造來提高藍色LED的亮度之前，藍色LED必須將GaN晶體內(nèi)被稱作“位錯”的晶體缺陷的密度減少至10
3個/cm
2的程度才能提高亮度。而采用InGaN雙異質(zhì)結構造之后，位錯密度即便高達10
9個/cm
2的程度，也能高亮度發(fā)光。InGaN的這一特性對于實現(xiàn)藍色LED，以及之后的藍紫色
半導體激光器、藍色
半導體激光器都作出了貢獻，因此中村將其評價為“奇跡般的材料”。
關于InGaN在晶體缺陷較多時也能高亮度發(fā)光的原因，中村稱“與In的局域效應有關”，并提到了日本東北大學教授秩父重英（發(fā)布研究成果時任職于筑波大學）的研究成果。
中村指出，雖然InGaN在高亮度藍色LED的實現(xiàn)中起到了重要作用，但很少有報道宣傳這種材料的重要性。中村還對日本媒體報道2014年
諾貝爾物理學獎獲獎消息時的表述方式提出了質(zhì)疑，他說，“不僅是日本的電視及報紙等媒體，就連日本的學術雜志及專業(yè)雜志也都說是‘赤崎和天野開發(fā)出了藍色
LED，中村成功實現(xiàn)了藍色LED的量產(chǎn)化’。在諾貝爾基金會的發(fā)布資料中，并沒有這樣的內(nèi)容，我并非只是做了量產(chǎn)化方面的工作。報道有失偏頗，令人非常
遺憾”。
