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半橋評估板簡化了GaN晶體管測試

2016-01-05 17:54:19 未知

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氮化鎵系統宣布其新的半橋評估板這表明其氮化鎵增強型功率半導體器件的實際功率電路的性能。全功能的GS66508T-EVBHB評估板是很容易配置到任何半橋拓撲結構為主，包括同步升壓和降壓轉換模式，以及脈沖開關評估晶體管波形。一個快速啟動說明指南和YouTube視頻鏈接的陪同下，評估板可以安裝在幾分鐘內使用。每個開發套件配有完整的文檔，包括比爾-的材料組成部分的數字，PCB布局和散熱管理，以及柵極驅動電路參考設計，幫助系統工程師開發自己的產品。

旨在提供電氣工程師提供一個完整的工作功率級，評估板包含兩個650 V，30 A GS66508T氮化鎵場效應晶體管，半橋柵極驅動器，柵極驅動電源和散熱器。100 V/nS and ultra-low thermal losses." style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 微軟雅黑; font-size: 14px; line-height: 26px;">該GS66508T高功率晶體管是基于氮化鎵的系統專有島技術®和屬于它的650 V系列的其中實現與> 100 V / NS和超低熱損耗快速開關速度極其高效的電源轉換高密度的設備。

使用氮化鎵系統“島科技模具設計結合GaNPX™封裝極低的電感和熱效率，氮化鎵場效應晶體管表現出的交換和比傳統的硅MOSFET和IGBT導通性能有45倍的改善。 30 A / 50毫歐GS66508T GaN功率晶體管是頂側冷卻，并設有近芯片級，熱效率GaNPX包裝。在1.5千瓦，該器件的功率轉換效率的額定功率為98.7％，可以在所有者的實驗室中再現的值。

該評估板提供腳印為輸出功率電感器和電容器，因此用戶可以配置董事會成所需的升壓或降壓操作模式。訪問晶體管的結溫是由兩個熱電偶墊和熱成像相機端口提供。輸入功率應為9 VDC至12 VDC，具有絕對的最多15個五，板載電壓調節器創建+5 V的邏輯電路和+6.5 V，用于柵極驅動器。該評估板工作在三種模式：脈沖測試模式，降壓/標準半橋模式和升壓模式。

新GS66508T高電流半橋評估板現已通過氮化鎵Systems的全球分銷網絡。定價以當地貨幣計算，該開發工具包零售價為$ 299 USD。