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半橋評(píng)估板簡(jiǎn)化了GaN晶體管測(cè)試

2016-01-05 17:54:19 未知

點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào)，后臺(tái)告知EETOP論壇用戶名，獎(jiǎng)勵(lì)200信元

氮化鎵系統(tǒng)宣布其新的半橋評(píng)估板這表明其氮化鎵增強(qiáng)型功率半導(dǎo)體器件的實(shí)際功率電路的性能。全功能的GS66508T-EVBHB評(píng)估板是很容易配置到任何半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為主，包括同步升壓和降壓轉(zhuǎn)換模式，以及脈沖開(kāi)關(guān)評(píng)估晶體管波形。一個(gè)快速啟動(dòng)說(shuō)明指南和YouTube視頻鏈接的陪同下，評(píng)估板可以安裝在幾分鐘內(nèi)使用。每個(gè)開(kāi)發(fā)套件配有完整的文檔，包括比爾-的材料組成部分的數(shù)字，PCB布局和散熱管理，以及柵極驅(qū)動(dòng)電路參考設(shè)計(jì)，幫助系統(tǒng)工程師開(kāi)發(fā)自己的產(chǎn)品。

旨在提供電氣工程師提供一個(gè)完整的工作功率級(jí)，評(píng)估板包含兩個(gè)650 V，30 A GS66508T氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，柵極驅(qū)動(dòng)電源和散熱器。100 V/nS and ultra-low thermal losses." style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 微軟雅黑; font-size: 14px; line-height: 26px;">該GS66508T高功率晶體管是基于氮化鎵的系統(tǒng)專(zhuān)有島技術(shù)®和屬于它的650 V系列的其中實(shí)現(xiàn)與> 100 V / NS和超低熱損耗快速開(kāi)關(guān)速度極其高效的電源轉(zhuǎn)換高密度的設(shè)備。

使用氮化鎵系統(tǒng)“島科技模具設(shè)計(jì)結(jié)合GaNPX™封裝極低的電感和熱效率，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管表現(xiàn)出的交換和比傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT導(dǎo)通性能有45倍的改善。 30 A / 50毫歐GS66508T GaN功率晶體管是頂側(cè)冷卻，并設(shè)有近芯片級(jí)，熱效率GaNPX包裝。在1.5千瓦，該器件的功率轉(zhuǎn)換效率的額定功率為98.7％，可以在所有者的實(shí)驗(yàn)室中再現(xiàn)的值。

該評(píng)估板提供腳印為輸出功率電感器和電容器，因此用戶可以配置董事會(huì)成所需的升壓或降壓操作模式。訪問(wèn)晶體管的結(jié)溫是由兩個(gè)熱電偶?jí)|和熱成像相機(jī)端口提供。輸入功率應(yīng)為9 VDC至12 VDC，具有絕對(duì)的最多15個(gè)五，板載電壓調(diào)節(jié)器創(chuàng)建+5 V的邏輯電路和+6.5 V，用于柵極驅(qū)動(dòng)器。該評(píng)估板工作在三種模式：脈沖測(cè)試模式，降壓/標(biāo)準(zhǔn)半橋模式和升壓模式。

新GS66508T高電流半橋評(píng)估板現(xiàn)已通過(guò)氮化鎵Systems的全球分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)。定價(jià)以當(dāng)?shù)刎泿庞?jì)算，該開(kāi)發(fā)工具包零售價(jià)為$ 299 USD。