ROHM開發出適用于AI服務器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET
2025-06-04 09:00:34 EETOP中國上海，2025年6月3日——全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，開發出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業設備電源等應用的理想之選。
RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現有產品。另外，新產品同時實現了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導通電阻（RDS(on)）*4，由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產品可靠性，又能優化電源效率，降低功耗并減少發熱量。
為了兼顧服務器的穩定運行和節能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路，與傳統服務器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A，實現業界超優性能，能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。
RY7P250BM是具有業界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現了更低導通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導通電阻有助于提升服務器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。
與此同時，RY7P250BM還被全球知名云平臺企業認證為推薦器件，預計未來將在AI服務器領域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節能的服務器領域中，RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導通電阻的平衡在云應用中得到了高度好評。
新產品已經暫以月產100萬個的規模投入量產（樣品價格800日元/個，不含稅）。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產基地為OSAT（泰國）。另外，新產品已經開始通過電商進行銷售，通過電商平臺均可購買。
未來，ROHM將繼續擴大適用于服務器和工業設備48V電源的產品陣容，通過提供效率高且可靠性高的解決方案，為建設可持續ICT基礎設施和節能貢獻力量。
＜開發背景＞
隨著AI技術的飛速發展，數據中心的負載急劇增加，服務器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務器日益普及，如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。在此背景下，相較傳統12V電源系統具有更高轉換效率的48V電源系統正在加速擴大應用。另外，在服務器運行狀態下實現模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流*5和過載時造成損壞。新產品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業界超寬SOA范圍和超低導通電阻，有助于降低數據中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，從而提升服務器的可靠性并實現節能。
＜產品主要特性＞
＜應用示例＞
?AI（人工智能）服務器和數據中心的48V系統電源熱插拔電路
?工業設備48V系統電源（叉車、電動工具、機器人、風扇電機等）
?AGV（自動導引車）等電池驅動的工業設備
?UPS、應急電源系統（電池備份單元）
